[发明专利]铌酸锂单晶薄膜及其制作方法在审
| 申请号： | 202011250278.6 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112410885A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周赤;吉贵军;刘昆;张大鹏;王兴龙 | 申请（专利权）人： | 珠海光库科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;C30B29/30;C30B29/68;G02F1/035 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 黄国豪 |
| 地址： | 519000 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供铌酸锂单晶薄膜及其制作方法，制作方法包括：在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备介质层；穿过介质层朝向光学级表面注入离子，离子穿透光学级表面后形成离子层，在离子层和介质层之间形成单晶铌酸锂薄层；将载体晶圆与介质层键合；加热至第一预设温度，使单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在介质层上；加热至第二预设温度，第二预设温度大于第一预设温度。通过单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离，并牢固地位于介质层上，以可实现稳定的光波导。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂单晶 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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