[发明专利]一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件

摘要

本发明公开了一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件，属于GaN HEMT器件技术领域，包括从下至上依次设置有衬底二、GaN缓冲层二、GaN沟道层二、AlGaN势垒层二、栅介质层二和SiO2钝化层二，在GaN缓冲层二上方的两端分别设置有源电极二和漏电极二，在靠近源电极二的栅介质层二上设置有栅电极二，栅介质层二内设置有栅下极化层，且栅下极化层直接与下方的AlGaN势垒层二接触，SiO2钝化层二内设置有第一栅分段场板和第二栅分段场板，可有效解决使用传统栅场板技术的GaN HEMT器件耐击穿电压低的问题。