[发明专利]形成半导体器件的源漏区外延层及半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011056593.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201625A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 姜楠 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成半导体器件的源漏区外延层的方法，涉及半导体集成电路制造技术，首先经外延工艺形成外延层将凹槽填充，然后增加一道光刻刻蚀工艺将凹槽内多余的外延层刻蚀掉，使剩余的外延层构成源漏区的嵌入式外延层的第一层外延层，则第一层外延层能将凹槽的内壁完全覆盖，而使后续形成的第二层外延层与沟道完全隔开，而避免后续工艺中第二层外延层中的掺杂元素扩散进入沟道，从而降低漏电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 区外 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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