[发明专利]一种等离子体的处理方法及其应用在审
| 申请号： | 202011027085.4 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112186031A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 杨树;李彦君;韩绍文;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心;浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/872;H01L21/321 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 311215 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了等离子体的处理方法，应用于III‑V族氮化物功率器件的势垒调制的制作或III‑V族氮化物P型欧姆接触的制作，对功率器件的表面进行处理，改变了器件表层半导体材料的原子结构和相应电子结构，钝化了悬挂键和补偿了空位，以及提高了表面或界面质量，降低表面态密度，去除表面自然氧化层，另一方面可以修复氮空位等晶格缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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