[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010748761.0 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111952354A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 施宜军;陈思;付志伟;尧彬;陈义强;王之哲 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体器件。包括衬底；设置在衬底上的外延层；设置在外延层远离所述衬底的一侧的势垒层；设置在势垒层远离外延层一侧相对两端的第一电极以及第二电极；第一电极包括栅极结构和浮空电极结构；栅极结构与势垒层相接触；浮空电极结构位于栅极结构与第二电极之间，并与栅极结构相接触，栅极结构还沿着浮空电极结构远离势垒层的一侧延伸至与第二电极相接触。利用第一电极中的浮空电极结构可以将所述半导体器件栅极边缘的电位钳位在较低的电位水平，以避免半导体器件的栅极边缘出现高电位，从而能够在减小器件增强绝缘修栅极结构的沟道长度以提高器件正向特性的同时，抑制了所述半导体器件的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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