[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010516208.4 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111697057B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L23/528;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 马陆娟 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；N型掺杂区，位于衬底中；金属结构，位于衬底表面并包括中间部分与边缘部分，中间部分与N型掺杂区接触以形成肖特基二极管；第一P型阱区，位于N型掺杂区中与边缘部分接触，并将边缘部分与N型掺杂区隔开；以及第一P型接触区，位于第一P型阱区中，并与边缘部分隔开，其中，第一P型接触区的掺杂浓度高于第一P型阱区的掺杂浓度，在第一P型接触区接地的状态下，第一P型阱区用于接收肖特基二极管的阳极电压。该半导体结构在提高肖特基二极管的击穿电压、降低肖特基二极管的漏电流的前提下保持了肖特基二极管的低压降和高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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