[发明专利]一种增强型HEMT器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010465629.9 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584626B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 王东;汪琼;吴勇;陈兴;严伟伟;陆俊;葛林男;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P‑型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P‑型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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