[发明专利]一种功率半导体芯片及其制备方法在审
申请号: | 202010060417.2 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN113140456A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 刘勇强;曾丹;江伟;敖利波;史波 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/321;H01L29/739 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 张丽颖;李雪 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 涉及半导体技术领域,本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法,所述一种功率半导体芯片制备方法,包括:在半导体基材正面形成第一金属层,在所述第一金属层上形成金属连接层,回刻平坦化处理所述金属连接层,在所述金属连接层上形成第二金属层,对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理,本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术,本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象,同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异,进而提高半导体整体性能的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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