[发明专利]半导体装置及半导体电路在审
| 申请号： | 202010021823.8 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111725310A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 岩鍜治阳子;末代知子;诹访刚史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备半导体层，该半导体层具有第1面及第2面，从第1面侧向第2面侧依次具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、与第2半导体区域相比第2导电型杂质浓度较高的第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域及第2导电型的第5半导体区域，并具有第1面侧的第1沟槽及第2沟槽，半导体装置具备第1沟槽的第1栅极电极、与第5半导体区域相接的第1栅极绝缘膜、第2沟槽之中的第2栅极电极、第2栅极绝缘膜、第1面侧的第1电极、第2面的第2电极、与第1栅极电极电连接的第1栅极电极焊盘及与第2栅极电极电连接的第2栅极电极焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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