[发明专利]具有扩大的有源区的构件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980065456.7 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112789736A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | L.霍佩尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 任丽荣 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此提供一种构件(10)，其具有半导体本体(2)、第一电极(3)和第二电极(4)，其中，半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于其之间的有源区(23)。第一电极设置为与第一半导体层电接触并且具有第一分布接片(30)，第一分布接片用于在第一半导体层中的均匀的电流分布。第二电极设置为与第二半导体层电接触并且具有第二分布接片(40)，第二分布接片用于在第二半导体层中的均匀的电流分布。第一和第二分布接片局部地相叠地布置在半导体本体的同一侧，其中，第一和第二分布接片在俯视图中局部地重叠并且仅在部分位置覆盖半导体本体。此外，第一分布接片在部分位置延伸穿过第二半导体层和有源区到达第一半导体层，其中，有源区在半导体本体与第一分布接片的重叠区域中仅在部分位置被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩大 有源 构件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 2020-02-07 - 2021-09-24 - H01L33/38
- 一种光电半导体构件(10)，其包括第一导电型的第一半导体层(110)和第二导电型的第二半导体层(120)，第一接触结构(105)、接触层(109)和分离层(108)。接触孔(123)布置在所述分离层(108)中。光电半导体构件还包括布置在所述分离层(108)的背离所述接触层(109)的一侧上的传导层(107)的部段(104)。在此，所述传导层(107)的部段(104)分别与所述接触孔(123)中的传导材料连接。所述第一接触结构(105)通过所述传导层(107)的部段(104)和所述接触孔(123)中的传导材料与所述接触层(109)连接，所述部段(104)的长度分别大于部段(104)的最大宽度，其中，所述长度表示在对应的接触孔和相邻部段(104)之间的传导材料之间的最短的距离，所述宽度是垂直于长度测得的。
- 具有PN结的光电器件-201980089515.4
- 让·罗特纳;赫尔格·哈斯 - 原子能与替代能源委员会
- 2019-12-18 - 2021-08-27 - H01L33/38
- 本发明涉及一种光电器件(300)，包括：‑形成PN结的第一半导体层(101)和第二半导体层(105)、以及布置在第二层的和第一层相对的表面上并且与第二层的和第一层相对的表面接触的第三导电层(107)的垂直堆叠；‑穿过第三层(107)和第二层(105)的外围沟槽(110)，所述沟槽侧向界定第三层(107)的一部分和第二层(105)的一部分；‑在所述沟槽(110)中的与第三层(107)的所述部分的侧部边缘接触的导电间隔物(301)；以及‑在所述沟槽(110)中的绝缘导电栅极(113，111)，该绝缘导电栅极抵靠导电间隔物(301)的侧部边缘并抵靠第二层的所述部分的侧部边缘延伸。
- 为实现不同的电配置的管芯接合焊盘设计-201680079649.4
- W.于;O.B.什彻金;F.沃尔;K.邰;M.马拉;R.佐纳;J.克梅特奇;A.尼克尔 - 亮锐控股有限公司
- 2016-10-19 - 2021-08-24 - H01L33/38
- 发光管芯（300），包括：多个发光元件（310A，310B），每个发光元件具有一对接合焊盘（N1,P1和N2,P2），其中，管芯上的相邻发光元件的至少两个对角相对的接合焊盘的彼此面对的拐角被截断（330），以使得当管芯安装于其上形成有互连图案的衬底上时，对角相对的接合焊盘的互补对能够直接对角耦合。通过实现管芯的多个发光元件的接合焊盘的对角耦合和侧向耦合，多个发光元件可以以多种串联和/或并联配置布置，从而便于在不同的标称工作电压下使用相同管芯，且其上安装管芯的衬底上具有单个互连层。
- 发射辐射的半导体芯片-201780042565.8
- 法比安·科普;阿提拉·莫尔纳;比约恩·米曼;弗朗茨·埃伯哈德 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2017-06-26 - 2021-08-17 - H01L33/38
- 提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，所述半导体芯片包括：‑半导体本体(2)，所述半导体本体具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑第一接触层(3)，所述第一接触层具有用于外部电接触半导体芯片的第一接触面(31)和与第一接触面连接的第一接触指结构(35)；‑第二接触层(4)，所述第二接触层具有用于外部电接触半导体芯片的第二接触面(41)和与第二接触面连接的第二接触指结构(45)，其中第一接触指结构和第二接触指结构在半导体芯片的俯视图中局部地重叠；‑电流分配层(51)，所述电流分配层与第一接触层导电地连接；‑端子层(52)，所述端子层经由电流分配层与第一接触层导电地连接；和‑绝缘层(6)，所述绝缘层包含介电材料，其中绝缘层局部地设置在端子层和电流分配层之间。
- 半导体器件-201680083410.4
- 成演准;李容京;崔光龙 - LG伊诺特有限公司
- 2016-12-28 - 2021-08-10 - H01L33/38
- 一个实施例包括：衬底；第一导电半导体层，设置在衬底上；第二导电半导体层，设置在第一导电半导体层上；以及有源层，设置在第一和第二导电半导体层之间，其中第一导电半导体层包括第一导电半导体层的一部分暴露其中的第一区域，并且包括设置在第一区域的上表面与第二导电半导体层上表面之间的倾斜部分，其中倾斜部分包括与第二导电半导体层上表面接触的第一边缘和与第一导电半导体层的第一区域上表面接触的第二边缘，其中第一和第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，其中第一长度是第一和第二边缘之间沿第一方向的长度，第二长度是第一和第二边缘之间沿第二方向的长度，其中第一和第二方向是彼此垂直的方向。
- 半导体发光器件-201980086537.5
- 安相贞 - 安相贞
- 2019-12-27 - 2021-08-06 - H01L33/38
- 本公开涉及半导体发光器件(LIGHT EMITTING DEVICE)，包括：具备电极的半导体发光芯片；模具，其形成为具有第一表面粗糙度，并且具有用于放置半导体发光芯片的底面部，在底面部形成有贯通孔，贯通孔的表面具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度，至少与半导体发光芯片相对的一侧由对于从半导体发光芯片发出的光具有95％以上的反射率的材质构成；以及导电部，其为了与电极的电气性连通，设置于贯通孔。
- 具有优化有源表面的微电子二极管-201680061766.8
- 休伯特·波诺;乔纳森·加西亚;伊凡-克里斯托夫·罗宾 - 原子能和替代能源委员会
- 2016-10-20 - 2021-07-27 - H01L33/38
- 一种二极管(102)，包括：形成p‑n结的第一掺杂半导体部位和第二掺杂半导体部位，第一部位(126)的第一部分(124)布置在第一部位(126)的第二部分(132)和第二部位(120)之间；介电部位(130)，该介电部位(130)覆盖第二部位(120)的侧壁和第一部位(126)的第一部分(124)的侧壁；第一电极(142)，该第一电极抵靠介电部位的外侧壁以及抵靠第一部位的第二部分的侧壁(134)而布置，仅通过与所述侧壁接触而电连接到第一部位，并且穿过第一部位的整个厚度；第二光学反射电极(144)，该第二光学反射电极电连接到第二部位，使得第二部位布置在第二电极和第一部位之间。
- 专利分类
