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[发明专利]拆卸光伏模块的方法和相关设备-CN201880055963.8有效
发明人：法布里斯·库斯捷;保罗·马苏迪;马里翁·塞拉塞;尼古拉·弗莱 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本方法使得能够拆卸光伏模块(1)，所述光伏模块包括第一保护元件(2)、第二保护元件(3)、位于所述第一保护元件(2)和第二保护元件(3)之间的光伏电池(4)、封装所述光伏电池(4)的壳体(5)。所述壳体(5)将第一保护元件(2)连接到第二保护元件(3)，并且包括：‑位于所述光伏电池(4)和第一保护元件(2)之间的第一部分(7)，以及‑位于所述光伏电池(4)和第二保护元件(3)之间的第二部分(8)，所述拆卸方法包括相对于第一保护元件(2)分离光伏电池(4)的分离步骤(E2)，所述分离步骤包括通过磨料丝(12)切割壳体(5)的第一部分(7)的切割步骤(E2‑1)。
拆卸模块方法相关设备

[发明专利]制造至少一种拉伸应变的平面光电二极管的方法-CN202011051395.X有效
发明人：阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;让-路易斯·乌夫里耶-比费 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造至少拉伸应变的平面光电二极管1的方法，包括：制造由半导体层53、55和抗反射层20形成的堆叠，该半导体层由第一材料制成；制造外围沟槽30，该外围沟槽通向抗反射层20的由第二材料制成的种子子层22；在外围沟槽30中外延由第二材料制成的外围部分31；以及返回至室温，然后由于两种材料之间的热膨胀系数的差异，检测部分10被拉伸应变。
制造至少一种拉伸应变平面光电二极管方法

[发明专利]具有垂直结构的异质结晶体管-CN201780084273.0有效
发明人：勒内·埃斯科菲耶;泽格·卢多特 -专利权人： 原子能和替代能源委员会;雷诺有限合伙公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1)，其包括：‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠；‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22)；‑分离层(12)，其与第一电极对齐且位于第二半导体层(13)的下方；‑第三半导体层(11)，其布置在分离层(12)下方并且与第二电极电接触；‑导电元件(24)，其与所述气体层(15)电接触并且电连接第三半导体层(11)和所述气体层(15)；‑位于所述导电元件(24)和第一传导电极(21)之间的控制栅极(23)。
具有垂直结构结晶体

[发明专利]具有优化的金属触点的锗光电二极管-CN202280014269.8在审
发明人：阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;哈奇莱·卡亚 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电二极管，包括：由第一锗基晶体半导体材料制成的检测部分10，检测部分10包括第一掺杂区域11、第二掺杂区域12和中间区域13；与第一掺杂区域11接触的间隙部分27，间隙部分27由晶体半导体材料制成，该晶体半导体材料具有等于第一半导体材料的天然晶格参数的天然晶格参数(误差在1％以内)，并且具有比第一半导体材料的带隙能量高至少0.5eV的带隙能量。
具有优化金属触点光电二极管

[发明专利]用于制造包括具有置于矿物外周壁上的不透明薄层的封装结构的检测装置的方法-CN202180092419.2在审
发明人：让-雅克·约恩;若弗鲁瓦·迪蒙;托马斯·佩里拉特-博托内特 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造检测装置(1)的方法，该方法包括以下步骤：○通过矿物牺牲层(41，42)来制备分布在检测阵列(2p)和补偿阵列(2s)中的热检测器；○制造封装结构(30s)，该封装结构包括在补偿阵列(2s)的上方延伸的不透明薄层(33)；○通过化学蚀刻来部分移除矿物牺牲层(41，42)，以释放检测阵列(2p)和补偿阵列(2s)，并得到由矿物牺牲层(41，42)的未蚀刻部分形成并围绕补偿阵列(2s)的外周壁(31s)，不透明薄层(33)被悬挂在补偿阵列(2s)的上方并置于外周壁上。
用于制造包括具有置于矿物壁上不透明薄层封装结构检测装置方法

[发明专利]具有三维二极管的光电器件-CN201780040945.8有效
发明人：弗洛里安·杜邦;伯努瓦·阿姆施塔特;文森特·贝;托马斯·拉卡韦;菲利普·吉莱;埃文·赫纳夫;贝朗杰·霍伊特;休伯特·博诺 -专利权人：艾利迪公司;原子能和替代能源委员会
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件(1)，该光电器件包括：‑包括彼此相对的称为后表面(3a)和前表面(3b)的支承件；‑形成第一极化电极的多个成核导电带(6i)；‑覆盖所述成核导电带(6i)的中间绝缘层(7)；‑多个二极管(2)，其每个包括三维的第一掺杂部分(9)和第二掺杂部分(11)；‑形成第二极化电极的多个上部导电带(14j)，其支承在所述中间绝缘层(7)上，每个所述上部导电带(14j)设置为与其第一掺杂部分(9)与不同成核导电带(6i)接触的二极管(2)集合的第二掺杂部分(11)接触。
具有三维二极管光电器件

[发明专利]通过将晶片转移到接收衬底来制造光子芯片的方法-CN202011131000.7有效
发明人：塞尔维·梅内佐;伯特兰·塞拉格 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光子芯片(1)的制造方法，包括以下步骤：将晶片转移到接收衬底(20)的实际转移区域Zre中，该实际转移区域包括完全被晶片覆盖的中心区域Zc和具有自由表面(25)的外围区域Zp，第一波导仅位于中心区域Zc中，并且第二波导位于外围区域Zp中；在晶片(10)的部分上和实际转移区域Zre周围沉积蚀刻掩模(31)；然后干蚀刻晶片(10)的自由部分，然后部分地蚀刻外围区域Zp的自由表面(25)。
通过晶片转移接收衬底制造光子芯片方法

[发明专利]用于改善质子交换膜燃料电池的效率的双极板-CN201880058216.X有效
发明人：埃里克·潘东;让-菲利浦·普瓦罗-克鲁弗齐耶 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M8/0267 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有质子交换膜(113)的燃料电池的双极板(5)，其包括：‑氧化剂入口歧管和氧化剂出口歧管；‑活性区域(54)的氧化剂流动通道(541)；‑入口均质化区域(52)；‑排出均质化区域；对于排出均质化区域中的1000至2000的氧化剂的流动的雷诺数：‑通过排出均质化区域的线性压力损失占活性区域(54)和氧化剂排出歧管之间压力损失dP2的80％以上；‑dP2/dP1的值至少等于2，其中dP1为氧化剂入口歧管和活性区域(54)之间的压力损失。
用于改善质子交换燃料电池效率极板

[发明专利]自动检测受监控系统中的欺诈风险的方法和系统-CN202180091378.5在审
发明人：哈基玛·柏多兹·克里希·安尼巴 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06Q20/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于基于由受监控系统生成并表征由受监控系统中的操作者执行或生成的事件的数据流来自动检测受监控系统中的欺诈风险的方法和系统。该方法包括：预处理(30‑38)在一个时间段内记录的至少一组数据，以获得与操作者相关联的关键事件的子集；迭代应用评估欺诈风险的第一参数化过程(52，56)，以获得第一合法性得分和第一相关联的发生概率；迭代应用评估欺诈风险的第二参数化过程(54，58)，以获得第二合法性得分和第二相关联的发生概率，以及比较(60)第一过程的结果和第二过程的结果，以确定(64)该操作者是合法操作者还是欺诈操作者。
自动检测监控系统中的欺诈风险方法

[发明专利]极低耗可重构波形紧凑型UWB发射器-CN202080063648.7有效
发明人：吉勒斯·马森;F·阿莫;劳伦特·奥夫瑞 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04B1/7163 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括H桥的UWB脉冲发射器，所述桥具有并联的第一支路和第二支路，第一支路和第二支路共用的第一公共端连接到高电压，第一支路和第二支路共用的第二公共端连接到低电压。该UWB脉冲发射器还包括第一包络控制模块以及第二包络控制模块。第一支路包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关分别用于将高电压切换到第一包络控制模块的第一输入，以及将低电压切换到第二包络控制模块的第一输出。第二支路还包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关分别用于将高电压切换到第一包络控制模块的第二输入，以及将低电压切换到第二包络控制模块的第二输出。
低耗可重构波形紧凑型 uwb 发射器

[发明专利]转移结构体的方法-CN201910618042.4有效
发明人：拉米·贝纳萨;伊斯梅尔·德吉尔门西奥格卢 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及转移方法，包括：步骤a)，提供包括第一面的支撑层(100)，结构体(200)通过它们的正面结合在第一面(110)上；步骤c)，将结构体(200)转移到主基板的主面上。支撑层(100)包括位于结构体(200)之间的折叠区域(101)，其被调整以在外部激发的作用下从折叠状态变化到展开状态，该方法在步骤a)和c)之间包括执行外部动作的步骤b)，使得折叠区域从折叠状态变化成展开状态，以使位于结构体(200)之间的间隔变化。
转移结构方法

[发明专利]光学成像设备-CN201810214172.7有效
发明人：珍-弗朗索瓦·曼盖;法兰科斯·坦帕里尔 -专利权人： 原子能和替代能源委员会;法国伊第米亚身份与安全公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：一种光学成像设备(100)，包括：基本上为点光源的阵列(104)；与该光源阵列相交错的光电探测器阵列(106)；光学介质，该光学介质的厚度大于光电探测器的间距且该光学介质形成采集表面和检测表面；用于依次接通和关闭部分光源中的每一个光源且读取接收光线的一部分光电探测器的装置，该光线来自被接通的光源且已经在采集表面发生反射，同时形成根据该光学介质和待成像元件所估算的入射角。
光学成像设备

[发明专利]用于拍摄身体部位的印记的装置-CN201810369405.0有效
发明人： J-Y·佛里;J-F·曼盖特 -专利权人：伊迪米亚身份与安全法国公司;原子能和替代能源委员会
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：用于拍摄身体部位的印记的装置。本发明涉及用于通过工作于暗背景全反射来拍摄身体部位的印记的紧凑型装置。所述装置包括多个光学耦合部件，所述多个光学耦合部件包括：第一透明板(120)，其包括可以将承载要成像的所述印记的所述身体部位搁在上面的顶面(1200)；光源(121)；对于光的不透明筛屏(122)，其位于所述第一透明板(120)下面，所述不透明筛屏包括孔网；第二透明板(123)，其位于所述不透明筛屏(122)下面；以及能够生成印记图像的传感器(124)，其位于所述第二透明板(123)下面；每个透明板都具有大于空气的折射率的折射率，并且所述光源能够定位在所述屏的水平面处以直接照明所述顶面，或者定位在所述屏下面以通过所述孔照明所述顶面。
用于拍摄身体部位印记装置

[发明专利]用于基于相变材料的RF开关的RF/DC去耦系统-CN201811089327.5有效
发明人： B·赖格;亚历山大·利昂;D·圣-帕特赖斯 -专利权人： 原子能和替代能源委员会
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于基于相变材料的RF开关的RF/DC去耦系统，该RF开关设置有基于相变材料(20)的、布置在第一导电元件(11)和第二导电元件(12)之间的第一区域(15)，以及用于所述第一区域(15)的状态控制装置，该开关还设置有至少一个第一去耦开关(INT1)，所述至少一个第一去耦开关设置有第二相变材料区域(17)。
用于基于相变材料 rf 开关 dc 系统

[发明专利]包括波长转换层的发光二极管及制造该发光二极管的方法-CN201810410655.4有效
发明人：伊凡-克里斯托夫·罗宾 -专利权人： 原子能和替代能源委员会;泰雷兹公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：公开了一种包括波长转换层的发光二极管及制造该发光二极管的方法。发光二极管(100)包括：用于发射第一波长λ1的光的结构(102)，该结构包括p‑n结(106、108)，在该p‑n结中布置有有源区(110)，该有源区包括包含在两个第一势垒层(114)之间的InX1Ga1‑X1N的第一发射层(112)；转换结构(104)，该转换结构(104)被配置用于将由发射结构发射的光转换成与第一波长不同的第二波长，该转换结构(104)布置在发射结构上并包括第二InX2Ga1‑X2N发射层，该第二InX2Ga1‑X2N发射层布置在两个第二势垒层之间，该两个第二势垒层各自包括通过GaN中间层彼此分开的多个InX3Ga1‑X3N吸收层；其中，铟浓度X1、X2和X3为使得0X1X2并且Eg(InX2Ga1‑X2N)Eg(InX3Ga1‑X3N)≤h*c/λ1。
包括波长转换发光二极管制造方法

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