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[发明专利]光电子半导体器件和用于制造至少一个光电子半导体器件的方法-CN202280018383.8在审
发明人：马丁·穆哈杰拉尼;亚历山大·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(13)，包括：层堆(9)，其具有一个侧面或多个侧面(9A)，第一和第二主面(9B、9C)，所述侧面分别包括对第一半导体区域(4)侧向限界的第一侧部区域(90A)和对第二半导体区域(5)部分侧向限界的第二侧部区域(90B)；在第一主面(9B)上设置的第一接触机构(10)，其设为用于电接触第一半导体区域(4)；和在至少一个侧面(9A)上设置的第二接触机构(11)，其设为用于电接触第二半导体区域(5)；和在第二接触机构(11)和层堆(9)之间设置的介电层(12)，其中至少一个第二侧部区域(90B)至少部分地不由介电层(12)覆盖且第二接触机构(11)覆盖不由介电层(12)覆盖的区域。此外，提出一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造至少一个方法

[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件-CN202280017286.7在审
发明人：延斯·埃贝克;克里斯蒂娜·舍勒斯托;马库斯·格劳尔;汉斯-约阿希姆·迈耶;理查德·弗勒特尔 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：A)提供半导体本体(10)，所述半导体本体沿竖直方向(Y)相继跟随地包括第一传导类型的第一层(101)，构成为量子阱结构的有源层(103)，量子阱结构设为用于发射电磁辐射，和第二传导类型的第二层(102)；和B)用聚焦的电磁辐射(E)照射半导体本体(10)，使得电磁辐射(E)的焦点区域(E1)位于有源层(103)之内并且与量子阱结构重叠，其中电磁辐射(E)具有如下强度，所述强度在焦点区域(E1)中足够大，以便引起量子阱结构中的点缺陷(201)，使得形成缺陷区域(20)，并且点缺陷(201)的产生限于焦点区域(E1)。此外，提出一种光电子半导体器件(1)。
用于制造光电子半导体器件方法

[发明专利]传感设备-CN202280016070.9在审
发明人：蒂姆·博斯克;马克西米利安·阿西格;托马斯·施瓦茨;安德烈亚斯·瓦尔德希克 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01S17/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种传感设备(1A)，其尤其用于移动式终端设备，如智能电话、智能手表、可穿戴设备和无线耳机，其包括：承载基板(2)，其具有至少一个通孔(3.1)，所述通孔用于将电触点从承载基板的下侧(2.2)引导至上侧(2.1)；集成电路(4)，其设置在承载基板的上侧(2.1)上；传感元件(5)，例如光电探测器，其设置在集成电路(4)上或集成到集成电路中；发光元件(6)，其与集成电路(4)间隔开地设置在承载基板上；金属椭圆体(7.1)，其设置在至少一个通孔上并且与通孔电连接；不透光的第一灌封材料(8)，其在横向方向上环绕传感元件(5)、发光元件(6)和金属椭圆体(7.1)，使得传感元件(5)和发光元件(6)的与承载基板相对置的表面保持不被基本上不透光的第一灌封材料(8)覆盖；第一电印制导线(9.1)，所述第一电印制导线在基本上不透光的第一灌封材料(8)上构成，并且第一印制导线将金属椭圆体(7.1)和集成电路(4)彼此电连接；和至少一个第二电印制导线(9.2)，其在基本上不透光的第一灌封材料(8)上构成，并且第一印制导线将集成电路(4)与至少一个发光元件(6)彼此电连接。传感设备总体上高度小于400μm。
传感设备

[发明专利]激光二极管装置、照明单元和激光投影设备-CN202280013638.1在审
发明人：蒂尔曼·吕格海默尔 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于激光投影设备的激光二极管装置，其具有载体；布置在载体上的激光二极管阵列，激光二极管阵列包括具有多个第一激光二极管的第一光组和具有多个第二激光二极管的第二光组，其中，第一光组发出具有第一偏振方向的偏振的电磁辐射，并且第二发光组发出具有第二偏振方向的偏振的电磁辐射，并且第一偏振方向和第二偏振方位彼此垂直，其中，本发明的特征在于，第一光组包括容纳至少一个第一激光二极管的至少一个第一激光器壳体，并且第二光组包括容纳至少一个第二激光二极管的至少一个第二激光器壳体；并且激光二极管阵列的第一激光二极管的数量至少对应第二激光二极管的数量的两倍，其中，第一激光二极管和第二激光二极体具有一致的最大光学输出功率；并且用于激光二极管阵列的电气布线布置在载体上，使得第一激光二极管处的电流强度能够连续地且独立于第二激光二极管的供电来调节。
激光二极管装置照明单元激光投影设备

[发明专利]光电子半导体芯片和用于运行光电子半导体芯片的方法-CN202280015781.4在审
发明人：科比尼安·佩尔茨尔迈尔;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施方式中，所述光电子半导体芯片包括发射侧(6)、与发射侧(6)相对置的安装侧(7)和半导体本体(2)。半导体本体(2)具有第一半导体层(3)、第二半导体层(4)以及在第一半导体层(3)和第二半导体层(4)之间的有源区(5)。半导体本体(2)还包括至少两个就发射侧(6)而视并排设置的发射区域(21、22)。第一发射区域(21)包括有源区(5)的第一部分(51)，并且第二发射区域(52)包括有源区(5)的第二部分(52)。发射区域(21、22)整体地集成在半导体本体中。在沿着有源区(5)的主延伸平面的横截面中，有源区(5)的第一部分(51)具有的面积为有源区(5)的第二部分(52)具有的面积的至少两倍。
光电子半导体芯片用于运行方法

[发明专利]晶片复合件和用于制造多个半导体芯片的方法-CN202280011519.2在审
发明人：特雷莎·鲍尔;克里斯托夫·克伦普 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种包括多个半导体芯片(2)的晶片复合件(1)，其中每个半导体芯片(2)具有第一主面(3)和与第一主面(3)相对置的第二主面(4)，并且其中在第二主面(4)上设置有第一电接触部(5)。此外，晶片复合件(1)具有多个导电柱(14)，其中每个第一电接触部(5)与导电柱(14)直接接触。最后，晶片复合件(1)包括电绝缘的牺牲层(12)，所述牺牲层具有裂口(13)，导电柱(14)设置在所述裂口中。最后，提出一种用于制造多个半导体芯片(2)的方法。
晶片复合用于制造半导体芯片方法

[发明专利]具有改进的电荷载流子分布的V形凹坑增强部件-CN202180093882.9在审
发明人：陈晓军;王恒;罗钟浩;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种部件(10)，该部件具有半导体层序列(20)，该半导体层序列(20)包括p侧半导体层(1)、n侧半导体层(2)以及位于p侧半导体层与n侧半导体层之间的有源区(3)。有源区(3)具有多量子阱结构，该多量子阱结构包括多个量子垒层(32)和量子阱层(31)，其中，量子垒层(32)和量子阱层(31)沿垂直方向交替布置。有源区(3)包括至少一个凹部(4)，至少一个凹部具有倾斜地延伸至有源区(3)的主表面(30)的小平面(41)，其中，凹部(4)朝向p侧半导体层(1)开口，并且至少在凹部(4)内，量子垒层(32)是n掺杂的并且具有非恒定掺杂分布(DP)，使得在部件(10)的操作中，带负电荷的电荷载流子的传输由于非恒定掺杂分布(DP)而从n侧半导体层(2)朝向p侧半导体层(1)增加。
具有改进电荷载流子分布形凹坑增强部件

[发明专利]生长基底和用于制造光电子半导体本体的方法-CN202280009086.7在审
发明人：耶莱娜·里斯蒂克 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于外延生长基于半导体化合物材料的外延半导体层序列(5)的生长基底(1)。所述生长基底(1)包括基底(2)和缓冲层序列(3)，所述缓冲层序列(3)包括基于所述半导体化合物材料的至少一个半导体层(32)和基于二维层状材料的至少一个缓冲层(3)。此外，提供了用于制造光电子半导体本体的方法。(图2)
生长基底用于制造光电子半导体本体方法

[发明专利]激光雷达系统、交通工具和运行方法-CN202180086989.0在审
发明人：赖纳·温迪施 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01S7/4911 文献下载
摘要：在一个实施方式中，激光雷达系统(1)包括：‑第一激光器(21)和第二激光器(22)，和‑探测单元(4)，用于探测第一和第二激光器(21、22)的激光辐射，其中‑第一激光器(21)在第一波长范围(L1)中并且第二激光器(22)在第二波长范围(L2)中设立用于相应的发射波长(E1，E2)的周期性调谐，和‑第一激光器(21)的第一调谐时间T与第二激光器(22)的第二调谐时间T2不同。
激光雷达系统交通工具运行方法

[发明专利]连接载体，光电子设备和用于制造连接载体的方法-CN202180089219.1在审
发明人：塞巴斯蒂安·维特曼;米夏埃尔·布兰德尔;安德烈亚斯·多布纳 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：提出一种连接载体(1)，其具有至少一个接触带(2)，所述接触带与用于电接触半导体器件(9)的接触面(4)导电地连接，其中接触带(2)至少局部地具有网格结构(3)。此外，提出一种用于制造具有接触带(2)的连接载体(1)的方法。
连接载体光电子设备用于制造方法

[发明专利]发射辐射的设备、具有发射辐射的设备的测量系统和具有测量系统的车辆-CN202180090547.3在审
发明人：彼得·布里克;法尔杭·卡西米阿夫沙尔;马丁·赫茨勒;西蒙·兰克斯;赖纳·温迪施;拉尔夫·维尔特 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：提出一种用于放射光的发射辐射的设备(100)，所述发射辐射的设备具有：在运行时沿着放射方向(91)放射光的激光源(1)；和在放射方向上设置在激光源下游的非映射性的光学系统(2)，其中光学系统具有沿着放射方向设置的多个光学元件(21，22，23)，以用于在水平方向(92)和垂直于水平方向的竖直方向(93)上塑造发射辐射的设备的放射特性，使得放射特性沿着竖直方向是不对称的，光学系统的第一光学元件(21)设置和构成用于引起光沿着水平方向的发散，光学系统的第二光学元件(22)设置和构成用于引起光沿着竖直方向的准直，光学系统的第三光学元件(23)设置和构成用于引起沿着竖直方向的放射不对称性。还提出一种具有发射辐射的设备的测量系统(1000)和一种具有测量系统的车辆(2000)。
发射辐射设备具有测量系统车辆

[发明专利]光电光源和数据眼镜-CN202280011063.X在审
发明人：约尔格·埃里克·佐尔格;艾伦·勒内夫 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：在至少一个实施例中，光电光源(1)包括：‑多个半导体激光器(21，22，23)，每个半导体激光器被配置为发射激光束(L1，L2，L3)并且被布置在安装平台(31)上，以及‑重定向光学元件(4)，被配置为重定向激光束(L1，L2，L3)，其中‑重定向光学元件(4)包括用于多个半导体激光器(21，22，23)中的每一个的单独反射区域(41、42、43)，这些反射区域(41、42、43)的形状彼此不同，并且‑在通过重定向光学元件(4)之后，激光束(L1，L2，L3)在共同平面中行进。
光电光源数据眼镜

[发明专利]辐射发射半导体芯片和用于制造辐射发射半导体芯片的方法-CN202180091103.1在审
发明人： F·科普;A·莫尔纳;H·P·洛;B·L·C·吴 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种辐射发射半导体芯片(1)，具有：半导体层序列(2)，包括第一掺杂类型的第一半导体层(3)和第二掺杂类型的第二半导体层(4)；以及布置在所述半导体层序列(2)上的第一介电层(7)和第二介电层(8)，其中：第一凹槽(10)在所述半导体层序列(2)中布置在所述辐射发射半导体芯片(1)的边界区域(11)中，完全穿透所述第一半导体层(3)，所述第一介电层(7)在所述边界区域(11)中完全覆盖所述半导体层序列(2)，以及所述边界区域(11)在边缘区域(12)中没有所述第二介电层(8)。另外，提供了一种用于制造辐射发射半导体芯片(1)的方法。
辐射发射半导体芯片用于制造方法

[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN202180090421.6在审
发明人：斯特凡·伊莱克;王恒 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(1)，包括半导体本体(10)，所述半导体本体具有：第一注入区域(100)，在所述第一注入区域中构成第一保护区域(101)；第二注入区域(200)，在所述第二注入区域中构成第二保护区域(201)；和有源区域(300)，所述有源区域设立用于产生电磁辐射，所述有源区域设置在第一注入区域(100)和第二注入区域(200)之间。第一注入区域(100)和第一保护区域(101)具有第一导电类型。第二注入区域(200)和第二保护区域(201)具有第二导电类型。第一保护区域(101)沿着半导体本体(10)的侧面(10A)从第一注入区域(100)的背离有源区域(300)的一侧延伸到第二注入区域(200)中并且完全穿过有源区域(300)。还提出一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]光电子半导体器件，光电子设备以及用于制造光电子半导体器件和/或光电子设备的方法-CN202180083642.0在审
发明人：西格弗里德·赫尔曼 -专利权人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(1)，包括：‑承载件(2)，所述承载件具有承载元件(3)和第一和第二接触结构(4、5)，‑光电子半导体芯片(12)，所述光电子半导体芯片设置在承载件(2)上并且与第一和第二接触结构(4、5)导电地连接，‑壳体(6)，所述壳体形状配合地与承载件(2)连接并且具有腔室(7)，所述腔室侧向地通过壳体(6)的起反射作用的壳体壁(8)限界并且设置在承载件(2)的第一主面(2A)的侧上，其中壳体壁(8)的壁厚度(d)处于一位数至两位数的微米范围内。此外，提出一种光电子设备(21)和一种用于制造至少光电子半导体器件(1)和/或至少光电子设备(21)的方法。
光电子半导体器件设备以及用于制造方法

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