[发明专利]铁电半导体器件和用于制造存储器单元的方法在审
| 申请号： | 201980062904.8 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112753070A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 伯恩哈德·瓦格纳;西蒙·费特纳;法比安·洛芬克 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会;克里斯蒂安-阿尔伯特基尔大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/11502;H01L27/11585;H01L29/51;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘剑颖 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电半导体器件，包括：存储器单元，该存储器单元具有铁电存储器层和设置在该铁电存储器层上的第一导电层；以及半导体器件，连接到存储器单元。存储器单元的铁电存储器层可以包括具有III族氮化物和非III族元素的混合晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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