[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201920905516.9 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN209822675U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 汪玉;董金矿;汪琴;桂亮亮;毕东升;王珊;黄照明;蔡家豪;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种半导体发光元件，包括衬底、第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；第一类型导电性半导体层和第一电极之间具有电流阻挡层；其特征在于：所述电流阻挡层包括中心区域和围绕中心区域的外围区域，所述第一电极覆盖中心区域和部分外围区域。本实用新型通过设计包括中心区域和围绕中心区域的外围区域的电流阻挡层，一方面改善电流的拥挤效益，扩展电流；另一方面，增加电极的粘附性，改善电极的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性半导体层 中心区域 电流阻挡层 第一电极 外围区域 本实用新型 电性连接 电极 半导体发光元件 半导体领域 第二电极 发光层 粘附性 衬底 拥挤 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括衬底、第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；第一类型导电性半导体层和第一电极之间具有电流阻挡层；/n其特征在于：所述电流阻挡层包括中心区域和围绕中心区域的外围区域，所述第一电极覆盖中心区域和部分外围区域。/n
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