[发明专利]一种屏蔽栅沟槽式MOSFET及其制造方法有效
申请号: | 201911226821.6 | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN111081779B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 原小明 | 申请(专利权)人: | 南京江智科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 徐俊 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种包括ESD钳位二极管的屏蔽栅沟槽式MOSFET及其制造方法。根据本发明的N沟道屏蔽栅沟槽式MOSFET,具有n+掺杂的屏蔽电极,且在制造过程中只需要提供两次多晶硅层。这使得,当通过缩小屏蔽栅的宽度以降低Rds并减小器件尺寸时,不会引起更高的开关损耗,且不会引起动态雪崩的不稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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