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[发明专利]一种具有限位锁紧机构的三极管固定框架-CN202310964638.6在审
发明人：原小明;费悦;胡敬全;高玉翠 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有限位锁紧机构的三极管固定框架，包括固定框架主体和三极管主体，所述固定框架主体的内侧开设有第一滑槽，且第一滑槽与第一滑块滑动对接，所述第一滑块的下侧开设有通槽，所述固定框架主体的内部设置有三极管主体。该具有限位锁紧机构的三极管旋转限位块，从而令三极管主体限制在固定框架主体的内部，将连接罩限制在通槽的外侧将引脚挡住，使得固定框架主体对三极管主体进行防护，从而令三极管主体的引脚不易折断或三极管主体不易损毁，将第二对接板与第二对接槽进行对接，将连接罩稳定的限制在散热孔的外侧，使得三极管主体在进行散热时，外界的灰尘不易进入固定框架主体的内部。
一种具有限位机构三极管固定框架

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽式MOSFET及其制造方法-CN201911226821.6有效
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括ESD钳位二极管的屏蔽栅沟槽式MOSFET及其制造方法。根据本发明的N沟道屏蔽栅沟槽式MOSFET，具有n+掺杂的屏蔽电极，且在制造过程中只需要提供两次多晶硅层。这使得，当通过缩小屏蔽栅的宽度以降低Rds并减小器件尺寸时，不会引起更高的开关损耗，且不会引起动态雪崩的不稳定性。
一种屏蔽沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种具有废料自动排出功能的MOS管剪脚机-CN202311114787.X在审
发明人：原小明;费悦;胡敬全;高玉翠 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B21F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有废料自动排出功能的MOS管剪脚机，涉及剪脚机领域，包括安装架、剪切机构和限位机构，所述安装架上侧设置有剪切机构和限位机构，所述安装架内部安装有废料自动收集机构，所述安装架的一侧连接有导料层。该具有废料自动排出功能的MOS管剪脚机，废料收集箱内部的电动推杆两侧的压力感应器感知到压力信号后，将信号传输至控制箱，由控制箱接收信号后下发指令，控制启动电动推杆、振动马达、调速电机和电动伸缩杆，使得该具有废料自动排出功能的MOS管剪脚机解决了现有的废料收集需要将装有废料的收集箱抬起后进行倾倒，导致工作人员工作量增大，降低了MOS管引脚的剪切效率的问题。
一种具有废料自动排出功能 mos 管剪脚机

[发明专利]一种可调节成型角度的MOS管引脚成型机-CN202310787779.5在审
发明人：原小明;费悦;胡敬全;高玉翠 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节成型角度的MOS管引脚成型机，涉及引脚成型机领域，包括连接框、第一安装框和第二安装框，所述连接框内部安装有第一安装框，所述第一安装框的一侧与第二安装框旋转连接，所述第二安装框上侧开设有限位槽，所述限位槽内部等距设置有分隔块。该可调节成型角度的MOS管引脚成型机，将MOS管放入第二安装框的限位槽内，此时MOS管一侧的引脚与折弯框插接，启动加热管对即将弯折的部分加热，启动旋转马达带动连接齿轮与外侧的刻度盘旋转至引脚需要折弯的角度，使得该可调节成型角度的MOS管引脚成型机解决了引脚在折弯后要保证折弯尺寸的一致性，导致引脚折弯的难度系数较高，从而导致电子元件生产的效率较低的问题。
一种调节成型角度 mos 引脚

[发明专利]一种自动感应MOS管散热器-CN202310779417.1在审
发明人：原小明;费悦;胡敬全;高玉翠 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动感应MOS管散热器，涉及散热器技术领域，包括安装框、电路板和MOS管，所述安装框的底端焊接连接有安装架，所述安装架的底端安装有散热扇，所述安装框内部的一侧安装有温度感应器，所述安装框内部的一侧位于温度感应器的下方安装有控制器，所述安装框的内部设置有延伸至其外侧的辅助散热机构。本发明通过设置的散热扇、温度感应器、控制器、通孔，使用时，通过温度感应器实时监测温度变化，在温度超过设定值时，可通过控制器自动控制散热扇工作，使得可以配合通孔进行散热操作，通过上述操作，可以使散热器具有自动感应温度的功能，散热效果好，节省了电能，使用方便。
一种自动感应 mos 散热器

[发明专利]一种半导体封装结构的封装方法-CN202310824299.1有效
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装结构的封装方法，增大了源极区与漏极区之间的引线焊接空间，使得源极区与漏极区之间的引线数量增大了2倍以上，有效增大可承载电流；根据实际参数与预设参数的对比对各预设参数分别进行一次优化修正，根据分析结果对选择的预设模型中的对应预设参数进行二次优化修正，从而在针对不同种类产品时能够提高芯片制作、晶圆制作、以及粘结制作过程中的预设参数的可靠性和稳定性，提供可靠数据支撑的同时，提高封装质量，改进封装效率。
一种半导体封装结构方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽式金属氧化物半导体场效应管-CN202010757457.2有效
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的包含多个沟槽栅的沟槽式半导体功率器件，每个沟槽栅均包括一对分裂栅电极和一个屏蔽栅电极，在相邻沟槽栅之间形成一个氧化层电荷平衡区，并在沟槽底部形成结电荷平衡区。所述沟槽式半导体功率器件还进一步包括一个超级结结构，所述超级结结构包括多个位于衬底之上的、交替排列的P区和N区，在氧化层电荷平衡区下方形成一个结电荷平衡区，本发明的结构可以有效提高击穿电压、降低导通电阻。
一种屏蔽沟槽金属氧化物半导体场效应

[发明专利]一种具有碳化硅超级结的半导体功率器件-CN202111019637.1有效
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有碳化硅超级结的半导体功率器件，是一种具有第一和第二类型栅沟槽，用于形成栅极和超级结区的SiC超级结沟槽式MOSFET。其中，栅极位于底部具有厚氧化层的第一类型栅沟槽内，超级结区围绕在完全被厚氧化层填充的第二类型栅沟槽的周围。此器件还进一步包括一个毗邻体区下表面、并临近栅沟槽的栅氧化层电场降低区。
一种具有碳化硅超级半导体功率器件

[发明专利]一种功率半导体集成器件-CN201911225848.3有效
发明人：谢福渊 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括屏蔽栅沟槽式金属氧化物半导体场效应管单元(SGT MOSFET)和超级势垒整流器(SBR)单元的集成电路，其中，SBR与SGT MOSFET位于同一芯片的不同位置。SBR单元为MOS沟道中的多数载流子提供了一个低势垒的环境，因此相比与传统的肖特基整流器来说，具有更低的反向电压和更低的反向漏电流。同时，在一些优选的实施例中，屏蔽栅结构采用了多阶梯状氧化物(MSO)结构，以进一步降低导通电阻。
一种功率半导体集成器件

[发明专利]具有改进的沟槽终端区和屏蔽栅沟槽接触区的功率器件-CN202210991728.X在审
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅沟槽与终端沟槽分隔开的屏蔽栅沟槽式MOSFETs，其中至少一个终端沟槽围绕栅沟槽的外部边缘且不围绕栅金属垫片区。每个栅沟槽内的屏蔽栅极，均通过至少一个屏蔽栅沟槽接触区连至源金属，所述的至少一个屏蔽栅沟槽接触区与至少一个栅金属导线之间的距离大于100μm。此外，本发明还公开了器件结构中的击穿电压增强区和雪崩能力增强区。
具有改进沟槽终端屏蔽接触功率器件

[发明专利]一种集成箝位二极管的半导体功率器件-CN202011000415.0在审
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅结构位于有源区、沟槽式场板终端区围绕有源区周围的半导体功率器件。连接在漏金属和源金属(或栅金属)之间的齐纳二极管，用作SD(或GD)箝位二极管。沟槽式场板终端区围绕在有源区的周围，其中，仅有芯片阵列的存在并不会导致集成SD或GD多晶硅箝位二极管时，击穿电压的下降。
一种集成箝位二极管半导体功率器件

[实用新型]一种健康监测智能手环-CN201821901823.1有效
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： A44C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能穿戴设备领域，具体涉及多功能一种健康监测智能手环，包括微控芯片、表环、第一表带与第二表带；微控芯片设于表环内部；第一表带与第二表带分设与表环的两端，第一表带与第二表带能相互扣接；第一表带包括叠加设置的第一皮肤接触层与第一表层，第一表层与第一皮肤接触层能形成一个密封性的第一夹层，第一夹层中充有空气；第二表带包括依次设置的第二皮肤接触层、第二表层，第二表层与第二皮肤接触层能形成一个密封性的第二夹层，第二夹层中充有空气。其能准确的测量身体状况且监测模块能与手腕完全贴合。
一种健康监测智能

[实用新型]一种SOT双芯片引线框架结构-CN201922118853.6有效
发明人：原小明 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种SOT双芯片引线框架结构，包括内引脚、外引脚以及两个用于安装芯片的基岛，所述基岛以及所述内引脚均位于一四边形框架结构内，框架结构内的一侧的横边排列有3个内引脚，框架结构内的另一侧横边的中部设置有1个内引脚，框架结构外的一侧的横边上依次设置有3个外引脚，框架结构外的另一侧的横边上依次设置有3个外引脚，两个基岛分别位于框架结构内竖向中线的左右两侧，每个内引脚分别连接外引脚的内端，基岛的另一侧分别连接一个外引脚的内端。本实用新型体积小，散热快。
一种 sot 芯片引线框架结构

[实用新型]一种MOS管快速安装机构-CN201920501993.9有效
发明人：原小明;谷万忠;胡敬全 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H05K7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOS管快速安装机构，包括安装板，安装板上设有放入槽，放入槽内装设有MOS管本体，放入槽内装设有弹片。可将MOS管本体的引脚对应放入槽的右端口插入，使得MOS管本体的中区从上翘穿过而向上抵压弹片，使得弹片上翻至横平，直至MOS管本体的引脚接触放入槽的内部左端，以此方式一一插入MOS管本体，握住把手，将MOS管本体冒出安装板右端的安装条插入温控器外壳的均匀设置的凹槽内，即可将螺丝一一从安装孔内放入，并用螺丝刀一一将螺丝旋入螺纹孔内，向左横向拉动把手，使得MOS管本体脱出弹片的抵压，同时会脱出放入槽，一次可对单竖排的所有MOS管本体进行安装固位，安装既方便又快捷。
放入槽安装板弹片脱出螺丝内装引脚把手快速安装机构本实用新型温控器外壳抵压弹片均匀设置安装孔安装条螺丝刀螺纹孔右端口抵压放入固位上翻上翘竖排旋入左端握住并用穿过

[实用新型]一种三极管引脚保护架-CN201920583651.6有效
发明人：原小明;谷万忠 -专利权人： 南京江智科技有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三极管引脚保护架，涉及半导体技术领域，包括装置主体，所述装置主体内侧设置有海绵保护层，所述海绵保护层的外侧设置有连接杆，所述连接杆的外侧设置有推杆，所述装置主体的下端设置有插销槽，所述插销槽的下方安装有支柱杆，所述支柱杆的的内侧设置有插销。该装置结构合理，可满足多种需要，海绵保护层的设计保护了引脚不会受到损伤，可升降轮的设置可以满足不同情况，在需要移动是，推下定位杆就可通过滚轮滑动，推到固定位置的时候将定位杆抬起，即可收起滚轮，在高度不满足的情况下，将插销插入主体和底座设置的插销槽中，即可升高装置的高度，也便于拆卸安装，整体设计人性化。
海绵保护层装置主体插销槽插销外侧设置定位杆连接杆支柱杆滚轮引脚半导体技术领域推杆本实用新型便于拆卸可升降轮升高装置整体设计装置结构滑动保护架人性化三极管抬起下端底座损伤移动

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