[发明专利]一种剥离光刻胶的方法在审
| 申请号： | 201911051736.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110727182A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李少平;郝晓斌;张演哲;贺兆波;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印;崔会东 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 42103 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种剥离光刻胶的方法。在第一剥离阶段，通过向二甲基亚砜加入少量低沸点氯甲烷类物质，在50‑55℃下浸泡带有光刻胶的晶圆30‑120s，使光刻胶发生溶胀并与基底结合力变弱，低沸点的氯甲烷进入溶胀的光刻胶；紧接着进入第二阶段的剥离，利用强极性的二甲基亚砜和醇胺类的混合溶剂在65‑80℃下浸泡5‑30s，利用突变的较高温度，使第一阶段中进入光刻胶中的低沸点的氯甲烷推动并加速光刻胶与基底的分离进行，并彻底将光刻胶剥离掉；最后进入第三阶段，用同样温度的水清洗晶圆，消除温差产生的膨胀影响。本发明中使用三阶段连续剥离光刻胶的方法，可以较好的避免光刻胶的回粘、减少色差产生，提升半导体器件良率、并缩短下道工艺的准备时间。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 低沸点 氯甲烷 二甲基亚砜 剥离 晶圆 溶胀 浸泡 色差 半导体器件 光刻胶剥离 基底结合力 剥离阶段 混合溶剂 温差产生 强极性 三阶段 水清洗 醇胺 基底 良率 突变 膨胀 | ||
【主权项】：
1.一种剥离光刻胶的方法，其特征在于，步骤包括：/nS1.往剥离光刻胶的机台中加入二甲基亚砜与低沸点氯甲烷类物质所配制第一剥离液，进入第一剥离阶段；/nS2.排走第一剥离液后，立即加入二甲基亚砜和醇胺类物质的混合溶剂，进入第二剥离阶段；/nS3.排出第二剥离液后，用水清洗剥离光刻胶的机台表面，将残留的小分子光刻胶全部带走，清除干净。/n
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