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[发明专利]一种单晶硅精抛液及制备方法-CN202310743059.9在审
发明人：贺兆波;罗月;叶瑞;张庭;邹哲敏;姜飞;冯凯;崔会东;王书萍;严凡 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅精抛液及制备方法，该硅片精抛液由咪唑改性的高纯硅溶胶、渗透剂和成膜剂、表面活性剂、pH调节剂和超纯水组成，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的高纯纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.01%～0.5%的渗透剂，0.001%～0.5%的成膜剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量的超纯水。其中咪唑改性的高纯硅溶胶不仅能提高硅溶胶的分散性，而且能减弱硅溶胶与硅片之间的静电斥力，显著地提高硅片的抛光速率；在渗透剂和成膜剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达550 nm/min，且抛光后硅片表面沾污颗粒极少，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10 ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。
一种单晶硅精抛液制备方法

[发明专利]一种无C高选择性氮化硅蚀刻液-CN202210790396.9有效
发明人：冯凯;崔会东;贺兆波;王书萍;叶瑞;张庭;姜飞;冯帆;班昌胜;杜程;徐子豪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无C高选择性氮化硅蚀刻液，其主要成分包括无机酸、无机硅化合物、预溶剂、无机分散剂和水组成，本发明的蚀刻液可提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
一种选择性氮化蚀刻

[发明专利]一种抑制二氧化硅蚀刻的无C蚀刻液-CN202210790401.6有效
发明人：冯凯;叶瑞;贺兆波;杜程;崔会东;王书萍;冯帆;班昌胜;张庭;徐子豪;姜飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制二氧化硅蚀刻的无C蚀刻液，其主要成分包括无机酸、氯硅烷、预溶剂和水组成，本发明的蚀刻液可通过抑制二氧化硅的蚀刻速率提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
一种抑制二氧化硅蚀刻

[发明专利]一种电子级蚀刻液中醋酸含量的检测方法-CN202211727652.6在审
发明人：李琴;贺兆波;汪民康;谭小龙;王欢;叶瑞;崔会东;欧阳克银;张永萍;刘兴荣 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子级蚀刻液中醋酸含量的检测方法，具体采用一种用高效液相色谱法来检测电子级蚀刻液中醋酸含量。首先配制不同浓度梯度的醋酸标准溶液，然后测试醋酸的出峰时间和对应的不同浓度的醋酸标准溶液的峰面积，并绘制标准曲线反映峰面积与醋酸含量的关系；然后，称取一定量的待测的蚀刻液样品，加一定比例的水，混匀后，上机进行测试，并通过上述的标准曲线用峰面积值测试计算待测样品中醋酸的浓度。该方法仅通过简单前处理，能快速准确检测醋酸含量，从而解决了难以精准检测电子级蚀刻液中醋酸含量的检测问题。
一种电子蚀刻醋酸含量检测方法

[发明专利]一种氮化硅与P型多晶硅等速蚀刻液-CN202111503313.5有效
发明人：冯凯;贺兆波;崔会东;王书萍;张庭;尹印;万杨阳;钟昌东;李鑫;李金航 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅与P型多晶硅的等速蚀刻液，其主要成分包括磷酸、单硝基化合物、硝基稳定剂、表面活性剂和水组成，本发明通过控制工艺温度以及调整各组分的添加量可以实现氮化硅层与P型多晶硅层的蚀刻速率比值稳定在1.0±0.1。
一种氮化多晶等速蚀刻

[发明专利]一种混酸中氢氟酸或氟离子或氟化物或硫酸含量的检测方法-CN202211519589.7在审
发明人：李琴;贺兆波;叶瑞;崔会东;欧阳克银;王欢;詹胜美;刘兴荣;张永萍;汪民康;尹印 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种混酸中氢氟酸或氟离子含量或氟化物或硫酸含量的检测方法。首先配制不同浓度梯度的氟化物标准溶液，然后测试氟化物标准溶液的电位，并绘制标准曲线反映电位与氟离子浓度的关系；然后，称取待测的蚀刻液样品，加水水解处理，进行电位测试，并通过上述的标准曲线用电位值测试计算待测样品中氢氟酸或氟离子含量或氟化物浓度,利用水解后的水解液用自动滴定仪滴定来测试待测样品中硫酸的含量。本发明有效避免了测试过程中温度变化、氟离子电极磨损、离子掩蔽效应、氟离子反应等引起的检测值的偏移，极大地提升了含氟产品的检测精准度，和混酸中硫酸含量的检测精准度，解决了仪器、环境、产品特性及人为因素的干扰，节约检测成本。
一种混酸中氢氟酸离子氟化物硫酸含量检测方法

[发明专利]一种检测苯基脲中痕量金属元素的方法-CN202211501133.8在审
发明人：李琴;贺兆波;崔会东;刘兴荣;张永萍;陈香蓉;汪民康 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测苯基脲中痕量金属元素的方法，将苯基脲中添加溶剂、添加剂和水使苯基脲完全溶解后，取样进行电感耦合等离子体光谱检测；所述的溶剂为N‑甲基吡咯烷酮或二甲基亚砜；所述的添加剂为硝酸或盐酸。溶剂、添加剂和水中，溶剂的质量分数为30%~95%、添加剂的质量分数为0%~5%，余量为水。本发明中采取的方法样品前处理快速，步骤简单。
一种检测苯基痕量金属元素方法

[发明专利]一种超高纯电子级氨水的生产方法-CN202211145137.7在审
发明人：郭岚峰;叶瑞;杨着;贺兆波;刘悦;崔会东 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C01C1/02 文献下载
摘要：一种超高纯电子级氨水的生产方法，工业液氨经过两级过滤、氧化、汽化、纯化、吸附、过滤、水合吸收、过滤等工序，首先液氨通过偏心射流微孔反应器，并在反应器中加入氧化液，脱除氨水中的还原性物质，脱除易氧化物的氨水经过丝网过滤器、活性炭过滤后进入汽化器，液氨在汽化器内汽化，汽化后的氨气经过纯化室后进入吸附塔，并经吸附塔顶部的过滤器后进入并流吸收塔，在通过并流吸收塔反应得到氨水中间产品，合成后的氨水经过微孔膜过滤得到G5等级的高纯电子级氨水。
一种高纯电子氨水生产方法

[发明专利]一种磷酸中总α粒子的检测方法-CN201910655872.4有效
发明人：李少平;冯凯;贺兆波;张庭;王书萍;尹印;万杨阳;张演哲;蔡步林;崔会东 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸中总α粒子含量的检测方法，将待测磷酸与水混合均匀，加入二氧化硅粉末，干燥，之后放入马弗炉中，高温反应，冷却，研磨，得到可供检测的测试样；试样至测量盘，用滴管吸取有机溶剂滴到测试样粉末上，使浸润在有机溶剂中的测试样粉末均匀平铺在测量盘内，烘干，用低本底α、β测量仪分别测量待测样的总α计数率，最终计算磷酸中的总α粒子含量；本发明利用低本底α、β测量仪测量测试样与空白样总α的计数率，从而计算磷酸中总α的放射性活度浓度。本发明通过特殊的制样方法解决了磷酸中总α粒子难以测量的问题。
一种磷酸粒子检测方法

[发明专利]一种稳定氮化硅蚀刻速率的无机高选择比蚀刻液-CN202210789280.3在审
发明人：冯凯;徐子豪;贺兆波;崔会东;杜程;王书萍;叶瑞;姜飞;张庭;冯帆;班昌胜 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定氮化硅蚀刻速率的无机高选择比蚀刻液，其主要成分包括无机酸、无机硅胺、预溶剂、调节剂和水组成，本发明的蚀刻液可通过抑制二氧化硅的蚀刻速率提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，并且能在蚀刻液蚀刻过程中Si含量增加情况下稳定氮化硅蚀刻速率，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
一种稳定氮化蚀刻速率无机选择

[发明专利]基于筒膜的薄膜包装封切装置-CN201811596945.9有效
发明人：杨林浩;何伟;崔会东;周灿辉;宋志林 -专利权人：东莞华贝电子科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B65B43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于筒膜的薄膜包装封切装置，其包括一工作台，工作台一相对的两侧分别设置有上膜机构和张膜机构，工作台另一相对的两侧分别设置有张口机构和第一封切机构；张口机构包括一移送机构，移送机构上安装有一对可沿竖向互相靠近或远离的上舌片和下舌片，移送机构可带动上舌片和下舌片插入包装膜中，并将包装膜张开以供待包装物进入；第一封切机构用于将包装体的开口处切平并将切口熔接；采用上述结构的本发明基于筒膜的薄膜包装封切装置进行包膜工作时可实现自动上膜、自动张膜以及对包装膜的自动张口自动封切工作，从而有效提高了基于筒膜包装的机械化程度，可大幅提高工作效率。
基于薄膜包装装置

[发明专利]一种剥离光刻胶的方法-CN201911051736.0在审
发明人：李少平;郝晓斌;张演哲;贺兆波;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印;崔会东 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种剥离光刻胶的方法。在第一剥离阶段，通过向二甲基亚砜加入少量低沸点氯甲烷类物质，在50‑55℃下浸泡带有光刻胶的晶圆30‑120s，使光刻胶发生溶胀并与基底结合力变弱，低沸点的氯甲烷进入溶胀的光刻胶；紧接着进入第二阶段的剥离，利用强极性的二甲基亚砜和醇胺类的混合溶剂在65‑80℃下浸泡5‑30s，利用突变的较高温度，使第一阶段中进入光刻胶中的低沸点的氯甲烷推动并加速光刻胶与基底的分离进行，并彻底将光刻胶剥离掉；最后进入第三阶段，用同样温度的水清洗晶圆，消除温差产生的膨胀影响。本发明中使用三阶段连续剥离光刻胶的方法，可以较好的避免光刻胶的回粘、减少色差产生，提升半导体器件良率、并缩短下道工艺的准备时间。
光刻胶低沸点氯甲烷二甲基亚砜剥离晶圆溶胀浸泡色差半导体器件光刻胶剥离基底结合力剥离阶段混合溶剂温差产生强极性三阶段水清洗醇胺基底良率突变膨胀

[发明专利]机器人用户程序的解释方法及解释装置-CN201810343629.4在审
发明人：朱浩;吴小平;郭林鑫;夏银龙;李运东;刘勇;崔会东 -专利权人：上海达野智能科技有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：本发明提供机器人用户程序的解释方法及解释装置。所述解释方法包括：接收用户程序；所述用户程序包括相互独立的用户主程序及用户后台程序；创建相互独立的第一状态机及第二状态机；所述第一状态机将所述用户主程序翻译成计算机可执行代码；所述第二状态机将所述用户后台程序翻译成计算机可执行代码。本发明克服了现有解释器不支持机器人并行编程的缺陷，同时兼具了实时性好、语法库丰富等诸多优势。
状态机计算机可执行代码机器人用户用户主程序解释装置用户后台并行编程程序翻译接收用户实时性好用户程序解释器语法库机器人翻译创建

[发明专利]速度规划方法、系统、控制系统、机器人、及存储介质-CN201810343643.4在审
发明人：黄纪强;孙宇豪;夏银龙;周昱明;朱浩;李运东;刘勇;崔会东;吴小平;郭林鑫;王晨 -专利权人：上海达野智能科技有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明提供一种速度规划方法、系统、控制系统、机器人、及存储介质，其包括：按照时间顺序建立轨迹模型并设置约束条件；所述轨迹模型包括末端轨迹，所述末端轨迹对应的最终运动参数中至少包括一种为非零；根据所述轨迹模型，建立速度规划曲线模型；基于所述速度规划曲线模型并根据所述约束条件，以时间最优为目标求解得到最优运动参数；根据所述最优运动参数生成目标速度规划曲线。首先，本发明可对任意始末状态的路径段进行速度规划而不受限于路径段的始末参数值。再者，本发明可覆盖S型加减速过程中所有的分支路径，大大提升了应用范围。最后，本发明提供的速度规划方法无需区分速度先被约束还是加速度先被约束，因而大大简化了建模的过程，帮助用户提升工作效率。
速度规划轨迹模型最优运动参数存储介质控制系统末端轨迹曲线模型约束条件路径段机器人分支路径工作效率时间顺序运动参数加减速求解非零建模受限覆盖应用帮助

[发明专利]工业机器人的运动学参数标定方法、标定系统、电子设备-CN201810343627.5在审
发明人：黄纪强;孙宇豪;夏银龙;崔会东;李运东;朱浩;刘勇;吴小平;郭林鑫;王晨 -专利权人：上海达野智能科技有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明提供工业机器人的运动学参数标定方法、标定系统、电子设备，从而提高工业机器人的绝对定位精度。所述方法包括：获取待标定工业机器人的多组测量数据；每组所述测量数据包括：所述工业机器人的工具中心点在测量参考坐标系中的实际位置及与之对应的机器人轴空间位置；根据各所述机器人轴空间位置及与之对应的各组DH参数，计算所述工业机器人的工具中心点在测量参考坐标系中的各理论位置；根据各所述实际位置及与之对应的各所述理论位置之差建立误差计算模型；基于所述误差计算模型构建边界约束优化问题，并将所述边界约束优化问题的最优值作为所述工业机器人的标定值。
工业机器人标定参考坐标系运动学参数边界约束标定系统电子设备工具中心机器人轴空间位置理论位置实际位置误差计算优化问题测量测量数据多组测量绝对定位模型构建

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