[发明专利]声学谐振器封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910964439.9 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110868190A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李亮;商庆杰;梁东升;赵洋;王利芹;丁现朋;刘青林;冯利东;张丹青;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;李宏军;钱丽旭;李丽;卜爱民;王强;蔡树军;付兴昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H3/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陈晓彦 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 声学 谐振器 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 吴国强;陈文;肖宇豪;贾文涵;韩金钊 - 武汉大学
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- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有耦合结构的微机械谐振器及其制备方法。微机械谐振器包括衬底硅片和谐振器结构层，衬底硅片具有空腔结构，谐振器结构层包括谐振振子和锚点结构，谐振振子包括振动结构和耦合结构，振动结构为压电叠层结构，耦合结构仅包含器件层硅，耦合结构的数量为一个或多个，耦合结构与振动结构连接，且耦合结构位于振动结构的外侧，谐振振子通过锚点结构与衬底硅片连接，谐振振子和锚点结构均悬空于衬底硅片的空腔结构的上方。本发明能够提高谐振器的Q值和温度稳定性。
- 一种耦合谐振器及其制备方法-202210422644.4
- 吴国强;韩金钊;陈文;肖宇豪 - 武汉大学
- 2022-04-21 - 2022-08-05 - H03H9/15
- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种耦合谐振器及其制备方法。耦合谐振器包括至少两种谐振振子，在至少两种谐振振子中，至少有一种谐振振子的频率温度系数为正，至少有一种谐振振子的频率温度系数为负，不同种类的谐振振子具有不同的振动模态，多种谐振振子耦合谐振时，多种谐振振子的频率温度特性相互补偿。本发明设计的耦合谐振器具有很好的温度稳定性。
- 一种谐振器和滤波器-202220707677.9
- 王友良;杨清华 - 苏州汉天下电子有限公司
- 2022-03-29 - 2022-08-02 - H03H9/15
- 本实用新型公开了一种谐振器和滤波器，谐振器包括：衬底，所述衬底的第一表面设置有声反射结构；底电极，位于所述声反射结构远离所述衬底的一侧；压电层，位于所述底电极远离所述衬底的一侧；顶电极，位于所述压电层远离所述底电极的一侧；质量负载层，位于所述压电层远离所述底电极的一侧；微结构，与所述质量负载层同层设置。本实用新型提供了一种谐振器和滤波器，无需多次光刻和多次刻蚀形成微结构和质量负载层，简化了制作谐振器的工艺步骤，提高了制作谐振器的效率。
- 具有倾斜C轴取向的压电体层及其制造方法-202080064143.2
- 德雅·德尼兹;马修·瓦西里克;罗伯特·卡夫;约翰·贝尔希克 - QORVO美国公司
- 2020-09-11 - 2022-06-14 - H03H9/15
- 一种结构包括基片，基片包括晶圆或其一部分；并且结构包括压电主体材料层，压电主体材料层包含沉积在基片上的第一部分和沉积在第一部分上的第二部分，第二部分包含具有4.5nm或更小的表面粗糙度(Ra)的外表面。用于沉积压电主体材料层的方法包括以第一入射角沉积主体层材料的第一部分以实现预定的c轴倾斜，以及以小于第一入射角的第二入射角将主体材料层的第二部分沉积在第一部分上。第二部分具有与第一c轴倾斜基本上对齐的第二c轴倾斜。
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