专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种锡黄铜抗空蚀处理方法-CN202310330577.8在审
  • 姚红兵;叶礼鹏;周远航;李文龙;丁志鹏;岳江;向圆圆;曹杰;朱卫华 - 河海大学
  • 2023-03-30 - 2023-10-20 - C22F3/00
  • 本发明公开了一种锡黄铜抗空蚀处理方法,S1熔炼制成锡黄铜,熔炼温度1100℃~1300℃,保温时间0.1~3h,再进行浇铸,浇铸温度1100~1250℃。S2锡黄铜退火处理,先升温至200~400℃,保温0.5~5h,再升温至440~550℃、保温2~5h。S3对锡黄铜用400~2500目的砂纸打磨、抛光、清洗、烘干;S4设置激光冲击强化设备参数,激光脉冲采用高能脉冲激光,采用S型冲击路径,连续冲击2次,第2次冲击与第1次冲击位置不重叠,通过六轴机械手移动试样,两次冲击位置间隔不同长度;S5将涂层材料涂覆在待处理锡黄铜表面;S6.将涂覆了涂层后的锡黄铜,固定在冲击位置,向试样表面喷射水流,水流作为约束层,激光强化设备产生脉冲激光形成高强度冲击波作用于锡黄铜表面。
  • 一种黄铜抗空蚀处理方法
  • [发明专利]一种炔基修饰的半导体材料的制备方法和应用-CN202110836193.4有效
  • 孙明轩;刘文珠;孙汪兵;丁志鹏 - 上海工程技术大学
  • 2021-07-23 - 2023-09-08 - B01J27/24
  • 本发明提供一种炔基修饰的半导体光催化剂材料的制备方法及应用,将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中,并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂,使溶剂没过钢珠后,在氮气或惰性气体保护下进行球磨,经后处理得到炔基修饰的半导体材料;制得的炔基修饰的半导体材料用于有机染料或抗生素降解。本发明采用球磨的方法制备炔基修饰的半导体光催化剂材料,操作简单,避免了现有技术有毒原料的使用以及副产物的产生,制得的炔基修饰的半导体光催化剂材料对于有机染料和抗生素的降解性能优于纯的半导体材料。
  • 一种修饰半导体材料制备方法应用

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