[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910922907.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970392B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 何嘉玮;徐俊伟;沈稘翔;刘启人;林易生;郑仰钧;洪伟伦;陈亮光;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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