[发明专利]半导体结构、三维集成电路结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910705609.1 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112017956A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;陈洁;陈明发;叶松峯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/535;H01L25/07;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种三维集成电路(3DIC)结构，所述三维集成电路结构包括通过混合接合结构而接合在一起的第一管芯与第二管芯。所述第一管芯及所述第二管芯中的一者具有焊盘以及设置在所述焊盘之上的顶盖层。所述顶盖层暴露出所述焊盘的顶表面的一部分，且所述焊盘的所述顶表面的所述一部分具有探针标记。所述混合接合结构的接合金属层穿透所述顶盖层以电连接到所述焊盘。本发明实施例还提供一种制作三维集成电路结构的所述第一管芯或所述第二管芯的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 三维集成电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
