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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310415915.8在审
发明人：叶德强;史朝文;叶松峯;宋大豪;萧闵谦;郭峻江;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN202310238069.7在审
发明人：叶德强;叶松峯;洪建玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在实施例中，一种集成电路封装件包括：第一集成电路管芯；以面对背的方式接合至第一集成电路管芯的第二集成电路管芯；与第二集成电路管芯相邻并且接合至第一集成电路管芯的伪半导体部件；附接至伪半导体部件和第二集成电路管芯的支撑衬底；沿着支撑衬底的顶表面、伪半导体部件的外侧壁、第一集成电路管芯的外侧壁和第一集成电路管芯的顶表面延伸的钝化层。本发明的实施例还提供了形成集成电路封装件的方法。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]形成封装件的方法-CN202210861195.3在审
发明人：胡致嘉;叶松峯;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种形成封装件的方法包括将第一多个有源管芯接合到晶圆中的第二多个有源管芯。第二多个有源管芯在晶圆的内部区域中。第一多个伪管芯接合到晶圆中的第二多个伪管芯。第二多个伪管芯在晶圆的外围区域中，并且外围区域包围内部区域。根据本申请的其他实施例，还提供了其他形成封装件的方法。
形成封装方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911226106.2有效
发明人：余振华;刘醇鸿;陈明发;史朝文;叶松峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：形成半导体结构的方法包括将顶部管芯的背面附接至底部晶圆的正面，底部晶圆包括多个底部管芯；在底部晶圆与顶部管芯相邻的正面上形成第一导电柱；在顶部管芯周围和第一导电柱周围的底部晶圆的正面上形成第一介电材料；并且切割底部晶圆以形成多个结构，多个结构中的每一个均包括至少一个顶部管芯和至少一个底部管芯。本发明的实施例还涉及半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210938467.5在审
发明人：陈明发;萧闵谦;胡致嘉;普翰屏;黄靖祐;林振昇;叶松峯;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：实施例利用桥接管芯，桥接管芯直接接合至两个或多个器件管芯并且桥接两个或多个器件管芯。每个器件管芯可以具有堆叠在其上的附加器件管芯。在一些实施例中，桥接管芯可以桥接设置在桥接管芯下方和上方的器件管芯。在一些实施例中，几个桥接管芯可以用于将器件管芯桥接至其他邻近的器件管芯。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件和方法-CN202210114069.1在审
发明人：陈宪伟;陈明发;叶松峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：插件；第一集成电路器件，连接至插件；第二集成电路器件，连接至邻接第一集成电路器件的插件；散热管芯，位于第二集成电路器件上；以及密封剂，位于散热管芯、第二集成电路器件、和第一集成电路器件周围，密封剂的顶面与散热管芯的顶面和第一集成电路器件的顶面共面。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。
集成电路封装方法

[发明专利]封装组件、封装件及其制造方法-CN202210091799.4在审
发明人：陈明发;史朝文;叶松峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供了封装结构和制造方法，由此在晶圆的背侧处提供接合介电材料层，在邻接的晶圆的前侧处提供接合介电材料层，并且其中，接合介电材料层彼此熔合接合。本申请的实施例还涉及封装组件、封装件及其制造方法。
封装组件及其制造方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210064434.2在审
发明人：陈明发;郑筌安;叶松峯;胡致嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种方法包括将第一层器件管芯接合至载体，形成第一间隙填充区域以密封第一层器件管芯，在第一层器件管芯上方形成第一再分布结构，并且第一再分布结构电连接至第一层器件管芯，以及将第二层器件管芯接合至第一层器件管芯。第二层器件管芯位于第一层器件管芯上方，并且第二层器件管芯横向延伸超出第一层器件管芯的相应边缘。该方法还包括形成第二间隙填充区域以密封第二层器件管芯，去除载体，以及形成穿透第一间隙填充区域的介电通孔。介电通孔与第二层器件管芯重叠并且电连接至第二层器件管芯。形成第二再分布结构，其中第一再分布结构和第二再分布结构位于第一层器件管芯的相对侧上。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]封装器件及其形成方法-CN202110652050.8在审
发明人：陈明发;叶松峯;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：封装器件包括接合至它的第一器件管芯和第二器件管芯。当第二器件管芯的面积小于第一器件管芯的面积的一半时，具有半导体衬底的一个或多个非有源结构也接合至第一器件管芯，使得第二器件管芯和一个或多个非有源结构的组合面积大于第一器件管芯的面积的一半。本申请的实施例还涉及形成封装器件的方法。
封装器件及其形成方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202010473541.1有效
发明人：余振华;叶松峯;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种封装件，包括第一器件管芯和通过混合接合而接合至第一器件管芯的第二器件管芯。第二器件管芯大于第一器件管芯。第一隔离区将第一器件管芯密封在其中。第一器件管芯、第二器件管芯、以及第一隔离区形成第一封装件的一部分。第三器件管芯通过混合接合而接合至第一封装件。第三器件管芯大于第一封装件。第二隔离区将第一封装件密封在其中。第一封装件、第三器件管芯、以及第二隔离区形成第二封装件的一部分。本申请另一方面涉及一种封装件的形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件和方法-CN201910162614.2有效
发明人：余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟;刘醇鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种器件封装件，包括：第一管芯，在界面处直接接合至第二管芯，其中，界面包括导体至导体接合。器件封装件还包括：密封剂，围绕第一管芯和第二管芯；和多个通孔，延伸穿过密封剂。多个通孔邻近第一管芯和第二管芯设置。器件封装件还包括：多个热通孔，延伸穿过密封剂；和重分布结构，电连接至第一管芯、第二管芯和多个通孔。多个热通孔位于第二管芯的表面上并邻近第一管芯设置。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
集成电路封装方法

[发明专利]半导体封装件及其形成方法-CN202210032805.9在审
发明人：陈明发;陈宪伟;叶松峯;陈洁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、和多个凸块。第一半导体管芯具有彼此相对的正面和背面。第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的背面，并且电连接至第一半导体管芯。多个凸块设置在第一半导体管芯的正面，并且物理接触第一半导体管芯的第一管芯焊盘。第一半导体管芯的总宽度小于第二半导体管芯的总宽度。本申请的实施例还提供了半导体封装件的形成方法。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]封装结构的制造方法-CN202110650402.6在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其制作方法。所述方法包括：通过混合结合将第一管芯及第二管芯结合到晶片的第一管芯区中的所述晶片；将第一虚设结构结合到所述第一管芯区中的所述晶片及所述晶片的第一切割道；以及沿所述第一切割道使所述晶片及所述第一虚设结构单体化，以形成堆叠集成电路(IC)结构。
封装结构制造方法

[发明专利]管芯堆叠结构及其制造方法-CN202111077314.8在审
发明人：陈宪伟;陈洁;陈明发;叶松峯;陈英儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种管芯堆叠结构包括内连结构、逻辑管芯、控制管芯、第一绝缘包封体、虚设管芯、存储器立方体及第二绝缘包封体。逻辑管芯电连接到内连结构。逻辑管芯包括第一介电接合结构。控制管芯在侧向上与逻辑管芯隔开且电连接到内连结构。第一绝缘包封体在侧向上包封逻辑管芯及控制管芯。虚设管芯堆叠在逻辑管芯上，逻辑管芯位于内连结构与虚设管芯之间，虚设管芯包括第二介电接合结构，且接合界面位于第一介电接合结构与第二介电接合结构之间。存储器立方体堆叠在控制管芯上且电连接到控制管芯，其中控制管芯位于内连结构与存储器立方体之间。第二绝缘包封体在侧向上包封虚设管芯及存储器立方体。
管芯堆叠结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件封装件和方法-CN201811509903.7有效
发明人：余振华;叶松峯;陈明发;陈宪伟;刘惠雯;袁景滨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：在实施例中，一种方法包括：堆叠多个第一管芯以形成器件堆叠件；暴露器件堆叠件的最顶部管芯的测试焊盘；使用最顶部管芯的测试焊盘测试器件堆叠件；以及在测试器件堆叠件之后，在最顶部管芯中形成接合焊盘，其中，接合焊盘与测试焊盘不同。本发明的实施例还涉及半导体器件封装件和方法。
半导体器件封装方法

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