[发明专利]具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910536378.6 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110364502A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴俊谕;商育伟;康安祺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的机制，该半导体结构具有位于重分布层下方的复合阻挡层。半导体结构包括：衬底、钝化层、复合阻挡层以及重分布层(RDL)，衬底包括位于衬底上的顶部金属层；钝化层位于顶部金属层上方并且具有位于其中并暴露顶部金属层的开口；复合阻挡层位于钝化层和开口上方，该复合阻挡层包括中心层、底层以及上层，其中中心层夹在底层和上层之间；以及重分布层(RDL)位于复合阻挡层上方并与下面的顶部金属层电连接。本发明涉及具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 复合阻挡层 半导体结构 重分布层 顶部金属层 钝化层 衬底 中心层 开口 上层 电连接 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括位于所述衬底上的顶部金属层；钝化层，位于所述顶部金属层上方，所述钝化层中具有暴露所述顶部金属层并延伸至所述顶部金属层中的开口；复合阻挡层，位于所述钝化层和所述开口上方，所述复合阻挡层包括：底层，位于所述钝化层和所述开口上方并且部分地位于所述顶部金属层中；中心层，位于所述底层上方；和上层，位于所述中心层上方；以及重分布层(RDL)，位于所述复合阻挡层的上方并且与下面的所述顶部金属层电连接。
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- 2016-01-04 - 2018-12-28 - H01L23/482
- 一种器件封装件包括管芯，位于管芯上方的扇出式再分布层(RDL)以及位于扇出式RDL上方的凸块下金属(UBM)。UBM包括导电焊盘部分和环绕导电焊盘部分的沟槽。器件封装件还包括设置在UBM的导电焊盘部分上的连接件。扇出式RDL将连接件和UBM电连接至管芯。本发明涉及凸块下金属(UBM)及其形成方法。
- 叠层芯片封装结构-201511008099.0
- 尤文胜 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
- 2015-12-24 - 2018-11-30 - H01L23/482
- 本发明提供了一种叠层芯片封装结构中，在所述叠层芯片封装结构中，上下两层芯片的有源面朝向相对，下层芯片上的电极通过第三导电通道引出到所述叠层芯片封装结构的表面排布，或者通过第一导电通道与第二导电通道引出到所述叠层芯片封装结构的表面，上层芯片的电极通过导电凸块的电连接到下层芯片的焊盘上，以与下层芯片的部分电极电连接，并可通过所述第三导电通道或者所述第一导电通道和所述第二导电通道引出到所述叠层芯片封装结构的表面，上层芯片对下层芯片而言还起到了承载支撑的作用。因此，所述叠层芯片封装结构无需使用预先制定的引线框架，且具有重布线部件，使得封装设计更具灵活性，封装结构面积更小，集成度更高。
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