[发明专利]一种半导体晶体生长装置有效
| 申请号： | 201910527728.2 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112095154B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 | ||
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- 不公告发明人 - 嘉兴金瑞光伏科技有限公司
- 2017-12-17 - 2020-03-17 - C30B30/04
- 本发明公开了一种硅晶体的连续生长装置，尤其适用于单晶硅，准单晶硅及多晶硅的制备。所述装置具有双熔区：主熔炼室可以用于晶体生长，一个辅助投料熔炼室可以作为连续高温熔体投料区。辅助投料熔炼室：配有两区的感应加热磁场，用于给多晶料加热。当上熔炼系统的料用尽以后在坩埚下料口的感应线圈断电后具有强制冷却的作用，使得多晶料凝固密封下料口。连续投料区有两组电磁约束磁场，控制熔体的上下运动。晶体生长区具有电磁约束磁场，使得熔体在无侧壁坩埚的条件下定向生长。通过投料区可以多次向晶体生长区投高温熔体料，实现晶体的稳定连续生长。
- 一种磁场可控式液桥生成器-201910411533.1
- 杨硕;高宇;马瑞;雷国庆;胡梓昂;党玉彤;张佳翔;邢超博 - 沈阳工程学院
- 2019-05-16 - 2019-07-05 - C30B30/04
- 本发明实施例公开一种磁场可控式液桥生成器，支架装置包括上液桥支架和下液桥支架，液桥生成装置通过上液桥支架和下液桥支架连接支架装置，液桥生成装置包括上液桥支撑盘和下液桥支撑盘，上液桥支撑盘和下液桥支撑盘之间形成有液桥熔区；磁场发生装置包括线圈磁场发生器，磁场运动装置包括同步旋转电机，同步旋转电机连接线圈磁场发生器，同步旋转电机驱动线圈磁场发生器围绕液桥生成装置旋转；图像识别装置包括显微摄像头，显微摄像头与液桥熔区的高度相同。可用于研究旋转磁场对液桥内部周期性振荡毛细流动的抑制作用，为研究制备高质量半导体晶体提供实验研究装置，解决传统液桥生成器磁场抑制中单一磁场方向和固定磁场强度弊端。
- 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置-201611236161.6
- 康俊勇;张纯淼;吴志明;陈婷;高娜;吴雅苹;李恒 - 厦门大学
- 2016-12-28 - 2018-11-20 - C30B30/04
- 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
- 一种具有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉-201820443257.8
- 张政;党媛媛;孙敏;左德堂;刘俊成 - 天津工业大学
- 2018-03-30 - 2018-11-02 - C30B30/04
- 本实用新型提供一种带有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉，包括磁场产生机构、垂直提升机构和炉体支撑机构；所述磁场产生机构由铁芯、三相导电绝缘线和绝缘保护壳组成；所述三相导电绝缘线与电源连接；所述电源产生电流，该电流在水平线圈内产生行波磁场。本实用新型通过在晶体生长炉内施加一个行波磁场，当行波磁场引起的洛伦兹力方向向下时，坩埚内锑铟镓的熔质在洛伦兹力作用传输下，会加速熔质的对流过程，熔池内的冷热区分布更加均匀。同时，使用方波电流发生器周期性地控制线圈中三相电流的相位移信号，有利于溶质的均匀分布，明显减弱宏观偏析，得到位错更低，晶体质量更好的锑铟镓晶锭。
- 一种油冷型单晶炉横向磁场系统-201721907522.5
- 傅林坚;曹建伟;胡建荣;叶钢飞;春伟博 - 浙江晶盛机电股份有限公司
- 2017-12-29 - 2018-08-17 - C30B30/04
- 本实用新型涉及太阳能电池半导体制造技术，旨在提供一种油冷型单晶炉横向磁场系统，包括支架、横梁、耳朵架、磁极、导磁块、油冷系统、电磁控制系统、磁极温度监测系统。本实用新型磁场强度可调、磁极间距可调，可以适用不同炉型；本实用新型重量轻、结构合理，可以在现有单晶炉上快速安装；本实用新型油冷系统设计巧妙，方便后期维修保养；本实用新型有温度监测系统，可以提高设备安全性。
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