专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体晶体生长装置-CN201910990349.7有效
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;赵言 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-10-17 - 2022-02-01 - C30B30/04
  • 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括:炉体;坩埚,所述坩埚设置在所述炉体内部,用以容纳硅熔体;提拉装置,所述提拉装置设置在所述炉体顶部,用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒;导流筒,所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方;所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒;以及磁场施加装置,用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场;其中,在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶,以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置,改善了半导体晶体生长的品质。
  • 一种半导体晶体生长装置
  • [发明专利]一种半导体晶体生长装置-CN201910990351.4有效
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;赵言 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-10-17 - 2022-02-01 - C30B15/14
  • 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括:炉体;坩埚,所述坩埚设置在所述炉体内部,用以容纳硅熔体;提拉装置,所述提拉装置设置在所述炉体顶部,用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒;导流筒,所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方;所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒;以及磁场施加装置,用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场;其中,在所述导流筒内壁底部开设有凹槽,以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置,改善了半导体晶体生长的品质。
  • 一种半导体晶体生长装置
  • [发明专利]一种半导体晶体生长方法和装置-CN201910357352.5有效
  • 沈伟民;王刚;黄瀚艺;刘赟 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-04-29 - 2021-09-07 - C30B15/20
  • 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括:获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0;获取所述石墨坩埚的当前生产批次N,所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数;根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料,其中,所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N),所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整,以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时,使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明,保证了拉晶过程中各参数的稳定,提升了拉晶的速度和拉晶的质量。
  • 一种半导体晶体生长方法装置
  • [发明专利]一种半导体晶体生长装置-CN201910527023.0有效
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-06-18 - 2021-08-10 - C30B15/00
  • 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括:炉体;坩埚,所述坩埚设置在所述炉体内部,用以容纳硅熔体;提拉装置,所述提拉装置设置在所述炉体顶部,用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒;导流筒,所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方,所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒;以及磁场施加装置,用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场;其中,在所述提拉装置提拉所述硅晶棒穿过所述导流筒的过程中,在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离大于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置,改善了半导体晶体生长的品质。
  • 一种半导体晶体生长装置
  • [发明专利]一种半导体晶体生长装置-CN201910527727.8有效
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-06-18 - 2021-08-10 - C30B15/00
  • 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括:炉体;坩埚,所述坩埚设置在所述炉体内部,用以容纳硅熔体;提拉装置,所述提拉装置设置在所述炉体顶部,用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒;导流筒,所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内,所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒;以及磁场施加装置,用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场;其中,在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置,改善了硅熔体内温度分布的均匀性,改善了半导体晶体生长的品质。
  • 一种半导体晶体生长装置
  • [发明专利]一种半导体晶体生长装置-CN201910527728.2有效
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-06-18 - 2021-05-14 - C30B30/04
  • 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括:炉体;坩埚,所述坩埚设置在所述炉体内部,用以容纳硅熔体;加热器,所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒,用以加热所述硅熔体;提拉装置,所述提拉装置设置在所述炉体顶部,用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒;以及磁场施加装置,用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场;其中,在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽,其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置,改善了硅熔体内温度分布均匀性,改善了半导体晶体生长的品质。
  • 一种半导体晶体生长装置
  • [发明专利]一种半导体晶体生长装置-CN201910527014.1有效
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-06-18 - 2021-05-11 - C30B30/04
  • 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括:炉体;坩埚,所述坩埚设置在所述炉体内部,用以容纳硅熔体;提拉装置,所述提拉装置设置在所述炉体顶部,用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒;水平磁场施加装置,用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场;以及导流筒,所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内,所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒的所述硅熔体上方;其中,所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数,其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。根据本发明,改善了硅熔体内温度分布均匀性,改善了半导体晶体生长的品质。
  • 一种半导体晶体生长装置
  • [发明专利]单晶生长方法及单晶生长设备-CN202011212265.X在审
  • 赵言;张楠;沈伟民;黄瀚艺 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2020-11-03 - 2021-02-05 - C30B15/00
  • 本发明提供一种单晶生长方法及单晶生长设备。单晶生长方法包括:提供单晶生长设备,包括坩埚、用于提拉坩埚的坩埚提拉装置、用于提拉单晶的单晶提拉装置、导流筒和用于提拉导流筒的导流筒提拉装置;设定理论液口距,根据坩埚和单晶尺寸确定理论埚跟比后开始单晶生长;在单晶生长过程中调整坩埚、导流筒和单晶中的一个或多个的位置并实时测量得到实际液口距,计算实际液口距和理论液口距的偏差值并依偏差值得到埚跟比变化值,依埚跟比变化值对理论埚跟比进行调整;依埚跟比变化值对单晶提拉装置的拉速进行调整,以使单晶生长过程中的晶体工艺拉速保持不变,其中,晶体工艺拉速为单晶相对于液面的提升速度。本发明有助于提高单晶生长品质。
  • 生长方法设备
  • [发明专利]单晶生长设备及生长方法-CN202011044024.9在审
  • 赵言;张楠;沈伟民;黄瀚艺 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2020-09-28 - 2020-12-29 - C30B15/22
  • 本发明提供一种单晶生长设备及单晶生长方法。设备包括炉体、坩埚、加热器及导流组件,导流组件包括导流筒及导流筒提拉装置,坩埚、加热器及导流筒均位于炉体内;坩埚用于承载熔融硅;加热器位于坩埚的外围,用于对坩埚进行加热;导流筒与导流筒提拉装置相连接,并自坩埚的外侧延伸到熔融硅的上方;导流筒提拉装置包括控制器,导流筒在控制器的控制下上下移动,以改变所述导流筒与所述熔融硅液面的间距。本发明无需改变晶体提拉速度和坩埚上升速度,因而不会改变液面和热场的相对位置,有利于稳定单晶生长调节,有利于生长出高品质的单晶,且调整操作简单,调整精度高。
  • 生长设备方法
  • [发明专利]一种控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置-CN201910329242.8在审
  • 黄瀚艺;沈伟民;王刚 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2019-04-23 - 2020-10-27 - C30B15/20
  • 本发明提供一种控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置,所述方法包括:获取所述坩埚的初始位置高度POS0、所述坩埚中硅熔体的初始液面高度D0以及所述坩埚中硅熔体液面与导流筒之间的初始距离MG0;获取当前生长的硅晶棒长度为L时的所述坩埚的当前位置高度POSL和所述坩埚中硅熔体的当前液面高度DL;根据所述初始位置高度POS0、所述当前位置高度POSL、所述初始液面高度D0和所述当前液面高度DL判断当前生长的硅晶棒长度为L时所述坩埚的当前位置高度是否安全。根据本发明的控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置,避免了拉晶过程中因为坩埚的上下移动超出限度而发生毁损,同时保证了在坩埚上下移动过程中其中的硅熔体液面的稳定性,保证了硅晶棒的稳定生长。
  • 一种控制硅熔体坩埚安全升降方法装置
  • [发明专利]一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉-CN201811472539.1在审
  • 沈伟民;王刚;邓先亮;陈伟德;黄瀚艺 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2018-12-04 - 2020-06-12 - C30B15/00
  • 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉,所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料,其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。根据本发明的晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉,将导流筒设置成包括内筒、外筒和设置在内筒和外筒之间的隔热材料,使外筒的热阻高于内筒的热阻,降低了导流筒上外筒对内筒的传热,从而使内筒的温度降低,有效增加了晶棒表面到导流筒内筒的辐射热传导,从而提升了晶棒的纵向温度梯度;同时,使外筒的温度上升,减少了硅熔体液面蒸发的硅氧化蒸汽(SiOx)在导流筒外筒上凝聚,从而减少了氧化物(SiOx)落入硅液产生杂质而发生多晶化(Dislocation)的现象。
  • 一种晶体生长导流

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