[实用新型]一种油冷型单晶炉横向磁场系统有效

专利信息
申请号: 201721907522.5 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN207738894U 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 傅林坚;曹建伟;胡建荣;叶钢飞;春伟博 申请(专利权)人: 浙江晶盛机电股份有限公司
主分类号: C30B30/04 分类号: C30B30/04;C30B29/06
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 周世骏
地址: 312300 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及太阳能电池半导体制造技术,旨在提供一种油冷型单晶炉横向磁场系统,包括支架、横梁、耳朵架、磁极、导磁块、油冷系统、电磁控制系统、磁极温度监测系统。本实用新型磁场强度可调、磁极间距可调,可以适用不同炉型;本实用新型重量轻、结构合理,可以在现有单晶炉上快速安装;本实用新型油冷系统设计巧妙,方便后期维修保养;本实用新型有温度监测系统,可以提高设备安全性。
搜索关键词: 本实用新型 磁极 单晶炉 温度监测系统 横向磁场 油冷系统 油冷 半导体制造技术 电磁控制系统 设备安全性 太阳能电池 间距可调 快速安装 强度可调 维修保养 导磁块 耳朵架 重量轻 横梁 炉型 支架 磁场
【主权项】:
1.一种油冷型单晶炉横向磁场系统,其特征在于,包括支架、横梁、耳朵架、磁极、导磁块、油冷系统、电磁控制系统、磁极温度监测系统;所述支架有两个,横梁设有一根,横梁的两端分别安装在对应的支架上;横梁的两端各开有若干安装螺纹孔,能根据炉型不同选择横梁上不同的安装螺纹孔安装耳朵架;所述耳朵架设有两个,两个耳朵架上对应开有若干对腰形孔,根据不同的炉型,两个耳朵架利用一对腰型孔安装在横梁的一组安装螺纹孔上,且横梁能在耳朵架的腰形孔内进行微调;所述磁极包括线圈、铁芯、外壳,外壳上设有进油口和出油口,线圈安装在外壳中,线圈内安装有铁芯;磁极有两个,分别安装在两个耳朵架上,两个磁极水平对向安装,使左右两个磁极通电工作时相对并相吸,构成水平横向磁场;所述导磁块有两个,分别安装在对应的磁极上,导磁块能环抱住圆形的单晶炉,进行导磁并增强磁场强度;导磁块的安装位置能进行上下调节,以对磁场进行上下调节;所述油冷系统包括油枕、管路、换热器、三通放油阀、油泵,管路设有两路,分别连接两个磁极;磁极的出油口与换热器连接,磁极的进油口与油泵连接;三通放油阀串联在在磁极和换热器之间的连接管路中通过油冷系统冷却后的冷却油直接入磁极,和磁极里的线圈直接接触进行热交换,然后排出,热油通过换热器进行降温,以实现对磁极进行冷却,防止磁极内部高温;所述电磁控制系统包括电源柜和电控柜,用于无级调节电流大小,从而无级调节磁场强度,并对油冷系统的运行进行控制;所述电源柜作为整个油冷型单晶炉横向磁场系统的动力源,提供油冷型单晶炉横向磁场系统所需的直流电,电源柜的输入为380V交流电,输出三路直流电,分别连接两个个磁极和油泵;所述电控柜连接在电源柜上,作为整个油冷型单晶炉横向磁场系统的控制系统,用于控制整个油冷型单晶炉横向磁场系统的运行;所述磁极温度监测系统包括两个温度传感器和两个报警器;两个温度传感器分别安装在对应磁极的侧边,用于实时监测两个磁极的温度;两个报警器安装在电控柜上,用于磁极高温报警。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶盛机电股份有限公司,未经浙江晶盛机电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721907522.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种磁场可控式液桥生成器-201910411533.1
  • 杨硕;高宇;马瑞;雷国庆;胡梓昂;党玉彤;张佳翔;邢超博 - 沈阳工程学院
  • 2019-05-16 - 2019-07-05 - C30B30/04
  • 本发明实施例公开一种磁场可控式液桥生成器,支架装置包括上液桥支架和下液桥支架,液桥生成装置通过上液桥支架和下液桥支架连接支架装置,液桥生成装置包括上液桥支撑盘和下液桥支撑盘,上液桥支撑盘和下液桥支撑盘之间形成有液桥熔区;磁场发生装置包括线圈磁场发生器,磁场运动装置包括同步旋转电机,同步旋转电机连接线圈磁场发生器,同步旋转电机驱动线圈磁场发生器围绕液桥生成装置旋转;图像识别装置包括显微摄像头,显微摄像头与液桥熔区的高度相同。可用于研究旋转磁场对液桥内部周期性振荡毛细流动的抑制作用,为研究制备高质量半导体晶体提供实验研究装置,解决传统液桥生成器磁场抑制中单一磁场方向和固定磁场强度弊端。
  • 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置-201611236161.6
  • 康俊勇;张纯淼;吴志明;陈婷;高娜;吴雅苹;李恒 - 厦门大学
  • 2016-12-28 - 2018-11-20 - C30B30/04
  • 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置,涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下,样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长,及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分,包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置;置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统,利用超高真空中分子束流自由程长的特点,使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题,实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
  • 一种具有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉-201820443257.8
  • 张政;党媛媛;孙敏;左德堂;刘俊成 - 天津工业大学
  • 2018-03-30 - 2018-11-02 - C30B30/04
  • 本实用新型提供一种带有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉,包括磁场产生机构、垂直提升机构和炉体支撑机构;所述磁场产生机构由铁芯、三相导电绝缘线和绝缘保护壳组成;所述三相导电绝缘线与电源连接;所述电源产生电流,该电流在水平线圈内产生行波磁场。本实用新型通过在晶体生长炉内施加一个行波磁场,当行波磁场引起的洛伦兹力方向向下时,坩埚内锑铟镓的熔质在洛伦兹力作用传输下,会加速熔质的对流过程,熔池内的冷热区分布更加均匀。同时,使用方波电流发生器周期性地控制线圈中三相电流的相位移信号,有利于溶质的均匀分布,明显减弱宏观偏析,得到位错更低,晶体质量更好的锑铟镓晶锭。
  • 一种油冷型单晶炉横向磁场系统-201721907522.5
  • 傅林坚;曹建伟;胡建荣;叶钢飞;春伟博 - 浙江晶盛机电股份有限公司
  • 2017-12-29 - 2018-08-17 - C30B30/04
  • 本实用新型涉及太阳能电池半导体制造技术,旨在提供一种油冷型单晶炉横向磁场系统,包括支架、横梁、耳朵架、磁极、导磁块、油冷系统、电磁控制系统、磁极温度监测系统。本实用新型磁场强度可调、磁极间距可调,可以适用不同炉型;本实用新型重量轻、结构合理,可以在现有单晶炉上快速安装;本实用新型油冷系统设计巧妙,方便后期维修保养;本实用新型有温度监测系统,可以提高设备安全性。
  • 一种具有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉-201810276104.3
  • 张政;党媛媛;孙敏;黄金栋;汪程鹏;刘俊成 - 天津工业大学
  • 2018-03-30 - 2018-06-22 - C30B30/04
  • 本发明提供一种带有行波磁场的锑铟镓晶体生长炉,包括磁场产生机构、垂直提升机构和炉体支撑机构;所述磁场产生机构由铁芯、三相导电绝缘线和绝缘保护壳组成;所述三相导电绝缘线与电源连接;所述电源产生电流,该电流在水平线圈内产生行波磁场。本发明通过在晶体生长炉内施加一个行波磁场,当行波磁场引起的洛伦兹力方向向下时,坩埚内锑铟镓的熔质在洛伦兹力作用传输下,会加速熔质的对流过程,熔池内的冷热区分布更加均匀。同时,使用方波电流发生器周期性地控制线圈中三相电流的相位移信号,有利于溶质的均匀分布,明显减弱宏观偏析,得到位错更低,晶体质量更好的锑铟镓晶锭。
  • 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法-201810081285.4
  • 李强;尚超;刘福立;师长伟;闫平科 - 辽宁工程技术大学
  • 2018-01-29 - 2018-06-19 - C30B30/04
  • 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法,属于矿物加工技术领域。该方法包括:将硫酸钠水溶液加入氯化钙水溶液中,得到合成前驱物,静置;按摩尔比,氯化钙:硫酸钠=1:(1~1.5);在60~90℃,磁场强度为0.1~2T环境中,将合成前驱物持续搅拌,使溶液混合均匀,得到混合溶液;向混合溶液中加入促溶剂和晶型控制剂,在60~90℃,外加磁场强度为0.1~2T的环境下继续搅拌,反应0.5~2h,得到反应后的混合物料;将反应后的混合物料冷却至室温、洗涤、真空抽滤,固体产物烘干,得到硫酸钙晶须。该方法在磁场作用下具有产物受热均匀、合成温度低、反应时间短、节能环保且产率高的优点。
  • 一种用于单晶炉的磁头-201721270247.0
  • 范桂林;李茂欣 - 上海磐盟电子材料有限公司
  • 2017-09-29 - 2018-06-08 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种用于单晶炉的磁头,包括单晶炉本体,所述单晶炉本体的一侧开设有安装槽,且安装槽内安装有磁头外壳,所述磁头外壳内安装有磁头本体,且磁头外壳的顶部和底部均焊接有固定板,两个固定板相互远离的一侧均焊接有顶板,且单晶炉本体的一侧还开设有多个矩形槽,所述矩形槽内安装有移动块,且移动块远离单晶炉本体的一侧延伸至固定板远离单晶炉本体的一侧,位于矩形槽内的移动块的外侧套设有弹簧,弹簧靠近固定板的一端焊接于矩形槽的一侧内壁上。本实用新型结构简单,安装方便,经济实用,通过安装槽和磁头外壳,方便磁头本体的安装,同时通过弹簧和柱形块,方便磁头本体的安装固定,且便于磁头本体的拆卸。
  • 磁场装置及单晶生长设备-201720257653.7
  • 赵磊 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2017-03-16 - 2017-11-10 - C30B30/04
  • 本实用新型公开的磁场装置,用于在单晶炉中产生磁场,其套设于单晶炉外,磁场装置与单晶炉相对的方向具有贯穿磁场装置的取光孔,磁场装置还包括安装架和测温仪,安装架固定设置于取光孔中,测温仪通过安装架安装于取光孔内。本实用新型公开的单晶生长设备,包括单晶炉和如上所述的磁场装置,磁场装置套设于单晶炉外。本实用新型的磁场装置套设于单晶炉外侧,缩短了磁场装置与单晶炉的间距,避免了磁场强度的损失,借助安装架可牢固地设置测温仪。本实用新型的单晶生长设备在上述磁场装置的作用下,能有效地抑制熔体对流,降低固液界面温度波动;单晶炉的通孔与磁场装置的取光孔相连通,借助测温仪能实现单晶生长设备对应处的温度测量。
  • 单晶永磁场-201720224284.1
  • 张承臣;刘振凯;李恒盛 - 沈阳隆基电磁科技股份有限公司
  • 2017-03-09 - 2017-10-20 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种单晶永磁场,该单晶永磁场由支架及固定在其上的导磁板、两轭板和两磁系构成,两磁系分别固定在两轭板上,两轭板通过导磁板连接,两磁系相对布置在单晶炉两侧,磁系中心与单晶炉主室结晶位置齐平,磁系、轭板及导磁板构成C形半围形状。本实用新型将永磁场运用到半导体硅的生产领域,使多晶硅在熔化后再结晶为单晶过程中在外加永磁场的情况下提高半导体硅工艺参数,改变3价和5价元素在半导体硅中的分布。与电磁场相比,本实用新型无能源消耗,节能环保,没有噪音污染,工作中无故障,免维护。
  • 旋转磁场作用下的高硅铝合金熔体凝固装置-201620614207.2
  • 石德全;陈志俊;高桂丽;许家勋;张立鑫;吴冀鹏 - 哈尔滨理工大学
  • 2016-06-22 - 2016-11-30 - C30B30/04
  • 旋转磁场作用下的高硅铝合金熔体凝固装置,涉及铝合金铸造领域。它解决了通过添加变质剂来细化铝合金凝固组织的变质剂处理难以使得高硅铝合金的初晶晶粒充分细化的问题。它由电源、变频器、正反转控制器、调压器、旋转磁场发生装置、砂型、耐火砖构成。由于外加磁场力对铝合金体系有洛伦兹力和磁压强的共同作用,使熔体产生强烈的振动,使得凝固过程中的树枝晶被折断,击碎,成为新晶核,达到细化效果。
  • 控制杂晶形成的方法-201510638223.5
  • 玄伟东;任忠鸣;张金垚;李传军;刘欢;徐子烨 - 上海大学
  • 2015-09-30 - 2015-12-23 - C30B30/04
  • 本发明公开了一种控制杂晶形成的方法,控制定向凝固铸坯的拉速0.5μm/s-104μm/s连续可调,控制磁场中心的磁感应强度在0-14T之间连续可调,利用强磁场来控制高温合金定向凝固过程中杂晶形成,减小杂晶对高温合金综合性能的危害,在设定实验条件下,本发明方法不仅能消除杂晶的形成,而且同时不会带来其他缺陷,大大改善了高温合金的性能;在本发明中,磁场能够消除变截面区域杂晶的形成,截面变化前后能够得到取向一致的柱状枝晶组织。通过加入磁场消除杂晶的方法可以应用在各种高温合金的制备中,应用在精铸领域中。
  • 一种环形单晶永磁场导向机构-201320685230.7
  • 张承臣;李恒盛;马玲 - 沈阳隆基电磁科技股份有限公司
  • 2013-11-04 - 2014-04-09 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种环形单晶永磁场导向机构,该导向机构包括导向柱一、导向柱二、前部带有U型凹槽的柱套及前部为平面的挡板;柱套及挡板相互间隔的固定在环形单晶永磁场的中部;导向柱一、二与水平面垂直固定,导向柱一的侧部嵌在柱套的U型凹槽内,导向柱二与挡板前部平面相切。采用上述结构,吊装时,环形单晶永磁场就可以沿导向柱一、二垂直移动,使得环形单晶永磁场与单晶炉始终保持安全距离,降低了吊装难度,提高了工作效率。本实用新型结构简单、设计合理,填补了此类导向机构的空白,值得广泛的推广应用。
  • 一种单晶磁场控制装置-201320665265.4
  • 张承臣;吴永博;唐奇;杨春 - 沈阳隆基电磁科技股份有限公司
  • 2013-10-28 - 2014-04-09 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种可调节磁场强度的单晶磁场控制装置,主要由给定系统、可编程控制器、整流单元、负载和电流变送器组成;给定系统向可编程控制器提供给定信号,交流电源经交流接触器的主触点通过整流单元给负载提供直流电压,负载串接有电流变送器,电流变送器的输出信号连接到可编程控制器,可编程控制器信号输出端连接交流接触器线圈和开关电源,开关电源给电流变送器供电。本实用新型利用了变送器检测电流,并反馈标准信号,进一步控制整流输出的原理,其结构简单,设计合理,专门应用于直流负载电源的控制系统,特别适用于单晶电磁场的自动化控制。
  • 一种单晶电磁场极头调整装置-201320417386.7
  • 张承臣;张昆;马玲;李恒盛 - 沈阳隆基电磁科技股份有限公司
  • 2013-07-15 - 2013-12-18 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种晶电磁场极头调整装置,包括由外至内由螺钉及固定孔固定在一起的极头一、极头二及极头三,极头三的背部嵌有竖向滑道,下部固定有调整螺栓;该调整螺栓的中部与固定在极头三上的固定板螺纹连接。使用时,将该调整装置通过竖向滑道安装在单晶电磁场上,通过旋转调整螺栓即可使极头沿竖向滑道上下移动,可以根据单晶硅溶液高度的变化对极头位置进行调整,保证单晶电磁场的拉晶效果,彻底解决了极头的固定结构无法满足单晶硅溶液高度变化的弊端。本实用新型结构简单、设计合理,构思巧妙,填补了此类调整装置的空白,值得广泛的推广应用。
  • 一种单晶电磁场的密封接线盒-201320237778.5
  • 张承臣;张昆 - 沈阳隆基电磁科技股份有限公司
  • 2013-05-06 - 2013-10-16 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种单晶电磁场的密封接线盒,包括盒盖、盒体、盒体侧面的出油管接头和盒体内的固定底板,在固定底板上固定有接线柱,接线柱连接线圈的引出线,本实用新型在接线盒固定底板与接线柱之间放置密封套,密封套上、下表面具有两个环形密封槽,在环形密封槽内放置上O形密封圈和下O形密封圈;使用具有长条孔的固定压板将接线柱压在固定底板上,从而达到密封效果。本实用新型焊接在单晶电磁场的线包出线口处,本实用新型设计新颖,密封可靠,添补了单晶电磁场的空白,值得广泛的推广应用。
  • 一种Bi-Mn合金中原生态微晶定向聚合相分离的方法-201310165383.3
  • 李喜;卢振远;马冬菊;禹清晨;王晨璐;杜大帆;侯龙 - 上海大学
  • 2013-05-08 - 2013-08-07 - C30B30/04
  • 本发明涉及一种Bi-Mn合金中原生态微晶定向聚合相分离的方法。属于合金组织控制研究技术领域。其所使用的装置为传统通用装置,包括电磁场设备、水循环保护系统、加热炉、控温系统。本发明方法的目的是在电磁场下生成合金原生相的特殊表面层以实现相分离。其特征在于在电磁场的作用下利用晶体的磁晶各向异性使合金凝固时偏聚形成特殊表面层,即电磁场的作用下使晶体易磁化轴转向磁场方向后,晶体受到电磁力的牵引作用,发生取向、迁移甚至聚合现象,在试样表面偏聚形成一层特殊的合金原生相表面层,从而实现相的分离。
  • 一种利用电磁法生产超纯多晶硅锭的装置及方法-201210299520.8
  • 张立峰 - 北京科技大学
  • 2012-08-21 - 2012-11-28 - C30B30/04
  • 一种利用电磁法生产超纯多晶硅锭的装置及方法。装置包括外壳,与外壳相连接的是料斗及启动加热硅的装置。在外壳内,由感应线圈包围的熔炼坩埚,高频感应线圈包围的圆柱形套筒,其末端分为多个支路,冷却坩埚以及设置在冷却坩埚下面的控制冷却隔离室。其特征在于高频感应线圈包围的圆柱形套筒,其末端分为多个支路套筒,一个主支路,多个侧支路,实现连续高效的杂质去除来净化硅液。感应线圈的参数设置为电流I=100~500A,频率fr=20~200kHz。其优点在于去除杂质时不会带来外来杂质,操作简单方便,生产效率高,最终得到的多晶硅纯度高达99.99%的以上,完全能满足太阳级多晶硅的需求。
  • 强静磁场诱导定向凝固合金柱状晶向等轴晶转变的方法-201210205716.6
  • 李喜;杜大帆;侯龙;于清晨;卢振远 - 上海大学
  • 2012-06-21 - 2012-10-03 - C30B30/04
  • 本发明涉及一种强静磁场诱导定向凝固合金柱状晶向等轴晶转变的方法,属物理场控制合金金相组织的技术领域。本发明利用强静磁场和定向凝固过程中在固液界面产生的温度梯度相互作用产生的热电磁力效应,控制合金枝晶的生长形貌。本发明的工艺方法的要点是:利用10~14T(特斯拉)的强静磁场,采用典型Bridgman定向凝固装置,设计使熔体的固液界面处于强静磁场的中心位置,整个凝固过程中在强静磁场下完成,采用细长的合金棒,样品液固界面的温度梯度随炉温和合金种类改变而改变。合金棒向下抽拉速率为10~120μm/s下进行定向凝固,在生长到稳定阶段后,迅速拉入冷却介质中进行淬火,最终得到定向凝固条件下特殊的等轴晶合金组织。
  • 依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置-201210022736.X
  • 李榕生;俞国军;刘燕;孙杰;陈杰;周双双;孔祖萍;李文冰;张斌 - 宁波大学
  • 2012-01-04 - 2012-08-08 - C30B30/04
  • 本发明涉及一种依托磁路技术原理的强场约束配合物晶体生长装置,属于配合物晶体培育领域。现有的依托强电流支撑的电磁铁强磁系统,由于电能高消耗以及冷却剂的高消耗,而无法实际投入耗时较长的对配合物晶体生长的强磁场干预实验,本案旨在解决该问题。本案利用两块永磁体作为磁源,依托磁路原理,将两块永磁体的磁力线聚束,在磁隙结构位置形成聚焦强磁场,并以该强磁场进行配合物晶体强磁场干预生长实验。本案装置回避了所述电磁铁强磁系统的电能的高消耗以及冷却剂的高消耗,本案装置能够让相关领域的研究人员在低成本、低消耗的前提下开展时间跨度较大的强磁场对配合物晶体生长干预的研究工作。
  • 一种磁场导向下形貌各向异性的椭球状介孔二氧化硅光子晶体有序薄膜的组装方法-201210113505.X
  • 吴玉昭;沈绍典;朱贤;毛东森;卢冠忠 - 上海应用技术学院
  • 2012-04-18 - 2012-08-08 - C30B30/04
  • 本发明公开了一种磁场导向下形貌各向异性的椭球状介孔二氧化硅光子晶体有序薄膜的组装方法。即采用椭球状介孔二氧化硅微纳米粒子为构筑基元,在其有序的孔道结构中,填充磁性化合物,经过高温焙烧以及进一步的还原处理,得到具有磁性的椭球状介孔二氧化硅微纳米粒子,随后将这种磁性的椭球状介孔二氧化硅微纳米粒子分散到分散剂中,在外加磁场中进行组装即可得到磁场导向下形貌各向异性的椭球状介孔二氧化硅光子晶体有序薄膜。本发明的组装方法操作简单,所得的磁场导向下形貌各向异性的椭球状介孔二氧化硅光子晶体有序薄膜具有高度的有序性和方向性,组装面积大,具有良好的光学性能。
  • 利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置-201210022739.3
  • 俞国军;李榕生;李文冰;孙杰;陈杰;孔祖萍;刘燕;谢文婷 - 宁波大学
  • 2012-01-04 - 2012-07-11 - C30B30/04
  • 本发明涉及一种利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置,属于配合物晶体培育领域。现有的依托强电流支撑的电磁铁强磁系统,由于电能高消耗以及冷却剂的高消耗,而无法实际投入耗时较长的对配合物晶体生长的强磁场干预实验,本案旨在解决该问题。本案利用永磁体作为磁源,通过将磁力线聚束,在磁隙结构位置形成聚焦强磁场,并以该强磁场进行配合物晶体强磁场干预生长实验。本案装置回避了所述电磁铁强磁系统的电能的高消耗以及冷却剂的高消耗,本案装置能够让研究人员在低成本的前提下开展时间跨度较大的强磁场对配合物晶体生长干预的研究工作。
  • 非牵拉单晶硅生产技术-201010249602.2
  • 不公告发明人 - 赵士星
  • 2010-08-10 - 2012-03-14 - C30B30/04
  • 非牵拉单晶硅生产技术属于计算机制造领域。现在的单晶硅生产都是将多晶硅加热,然后用超大拉力的拉力机将多晶硅拉伸成单晶硅。这种技术功耗大,生产时间长,晶格一致性差,成品不足加工材料的三分之一,单晶硅片面积有限。非机械牵拉,生产面积很大的单晶硅。用足够的磁场,将硅分子拉成线状后再结晶。主要用途1、非牵拉单晶硅的尺寸和形状,原则上不受限制。10平米、百平米的单晶硅生产不难实现。2、可以把无数个CPU串、并在一张硅片上(微型超大数据流水线),制造微型化的甚高速、超大型的网络计算机将成为现实。3、是否拥有领先的计算机,是国家科研能力的体现,它制约或推动一个国家科学进步的速度。
  • 一种有晶体生长控制器的定向凝固装置-201120010374.3
  • 王雷;沈军;王灵水;王伟 - 西北工业大学
  • 2011-01-13 - 2011-10-05 - C30B30/04
  • 一种有晶体生长控制器的定向凝固装置,包括冷却装置、高频感应加热装置、抽拉装置、高频感应加热电源、行波磁场发生器和行波磁场变频电源。行波磁场发生器、冷却装置中的行波磁场线圈冷却箱和高频感应加热装置均位于真空室内。抽拉装置位于真空室内底部中心处。行波磁场发生器位于行波磁场线圈冷却箱内。三个行波磁场线圈分别安装在线圈架上的三层线圈挡板上。高频感应加热装置中的辐射隔热挡板位于线圈架下两个行波磁场线圈相邻表面之间间隙的中心处。在真空室的一侧壁上有真空泵连接口;在真空室底部中心有抽拉装置的水冷结晶器的安装孔。本实用新型可以通入大电流来研究真空条件下较强磁场对易氧化合金、较高熔点合金甚至高熔点合金的晶体生长过程的影响。
  • 一种有行波磁场发生器的定向凝固装置-201110007198.2
  • 王雷;沈军;王灵水;王伟 - 西北工业大学
  • 2011-01-13 - 2011-05-25 - C30B30/04
  • 一种有行波磁场发生器的定向凝固装置,包括冷却装置、高频感应加热装置、抽拉装置、高频感应加热电源、行波磁场发生器和行波磁场变频电源。行波磁场发生器、冷却装置中的行波磁场线圈冷却箱和高频感应加热装置均位于真空室内。抽拉装置位于真空室内底部中心处。行波磁场发生器位于行波磁场线圈冷却箱内。三个行波磁场线圈分别安装在线圈架上的三层线圈挡板上。高频感应加热装置中的辐射隔热挡板位于线圈架下两个行波磁场线圈相邻表面之间间隙的中心处。在真空室的一侧壁上有真空泵连接口;在真空室底部中心有抽拉装置的水冷结晶器的安装孔。本发明可以通入大电流来研究真空条件下较强磁场对易氧化合金、较高熔点合金甚至高熔点合金的晶体生长过程的影响。
  • 一种磁极间距可调式单晶炉电磁场装置-200920294852.0
  • 马恩高 - 马恩高
  • 2009-12-24 - 2010-10-06 - C30B30/04
  • 一种磁极间距可调式单晶炉电磁场装置,它主要由调节板、轭板、连接板、磁极构成,所述的轭板有两块,并分别安装在左右布置的、带有调节孔的调节板上,所述的轭板上各自固定安装有相对布置的左右两个磁极;所述的左右两轭板通过各自固定安装着的调节板以及横置于所述调节板之间的连接板而连接在一起并构成一个完整的磁系回路;所述的磁极由线圈、铁芯、磁极头、安全罩构成;所述的线圈内安装有铁芯,外面装有安全罩;所述的左右两磁极头成阶梯圆弧形并分别固定安装在所述的铁芯上,布置成正对面安装形成一水平横向磁场;它能有效地抑制硅熔体热对流,降低单晶硅中的氧浓度,提高太阳能硅片的性能;磁极间距可调电磁场装置,可以适应现有多种单晶炉结构;它整体重量轻,能实现快速安装,降低成本。
  • 单晶用环形永磁场-200920288474.5
  • 张承臣;李恒盛;吴文奎;唐奇;邵贵成 - 抚顺隆基电磁科技有限公司
  • 2009-12-28 - 2010-09-29 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种单晶用环形永磁场,包括有环形结构的永磁系,永磁系的内外侧及上下端分别安装有内筒、导磁筒及上、下磁轭。使用时,将本实用新型包围在单晶炉外侧,使单晶炉内产生沿晶升方向的垂直环形磁场,磁力线从炉体中穿过,在结晶区域内无磁场或磁场很弱,结晶区外围有强磁场。该种叠加环形磁场的存在,能够有效地抑制硅液对流的产生,降低硅液的机械波动及温度起伏,增大流体的黏度,使硅液及导电介质处于相对静止状态,导电介质分布比较均匀,提高了单晶硅径向电阻率的均匀性,进而提高材料利用率,提高了硅片性能指标。同时,还能有效地降低单晶硅中氧、碳的及其它杂质的含量。
  • 一种装备轴向静磁场的真空晶体生长设备-200920242042.0
  • 邓沛然;傅盛辉 - 宁波市磁正稀土材料科技有限公司
  • 2009-12-31 - 2010-09-15 - C30B30/04
  • 本实用新型公开了一种装备轴向静磁场的真空晶体生长设备,包含炉体上盖立式纵向炉体,立式纵向炉体由上盖板和下盖板部分密封,下盖板和通水冷却室相连;立式纵向炉体内部的加热电源由上盖板的铜接头引入,炉体内部上下区间的测温热电偶分别由上盖板、下盖板预留接头分别引出;炉体下部位与纵向炉体支架连接;立式纵向炉体底部位置与抽真空系统通过管路连接,抽真空系统由机械泵和油扩泵组成;本实用新型的有益效果:装备轴向纵深静磁场的真空凝固设备能够实现对磁性材料在凝固过程进行晶体取向控制,也可以对磁性材料在其居里点进行热处理,以改善材料的磁物理性能;结构简单、生产成本低。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top