[发明专利]氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法在审

申请号：	201910206955.5	申请日：	2019-03-11
公开（公告）号：	CN110085595A	公开（公告）日：	2019-08-02
发明（设计）人：	汤振杰	申请（专利权）人：	安阳师范学院
主分类号：	H01L27/11568	分类号：	H01L27/11568;H01L21/316
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	455000 ***	国省代码：	河南;41
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摘要：	本发明公开了氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法，选用高温半导体材料GaN作为衬底，利用原子层沉积系统和磁控溅射方法制备Ag/GaN/SiO₂/La₂O₃/SiO₂/Ag存储结构。本发明所述的GaN基非易失性存储器件制备方法操作简单，可实现大规模制备。
搜索关键词：	制备非易失性存储器件氮化镓基原子层沉积系统高温半导体磁控溅射存储结构衬底
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【主权项】：

1.氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法，其特征在于具体步骤如下：a)利用原子层化学气相沉积系统在GaN衬底表面生长一层SiO₂作为隧穿氧化物，采用三(二甲胺基)硅(Si(N(CH₃)₂)₃)作为前驱体，臭氧作为氧源，原子层沉积循环次数在20‑40次范围内选择；b)SiO₂隧穿氧化物生长结束后，利用原子层化学气相沉积系统在隧穿层表面生长一层La₂O₃作为存储氧化物，选用三(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)镧(La(C₁₁H₁₉O₂)₃)作为金属前驱体，臭氧作为氧源，原子层沉积循环次数在80‑150次范围内选择，GaN衬底温度在300℃‑400℃范围内选择，前驱体温度在150℃‑200℃范围内选择；c)La₂O₃存储氧化物生长结束后，利用原子层化学气相沉积系统在存储氧化物表面生长一层SiO₂阻挡氧化物，选用三(二甲胺基)硅(Si(N(CH₃)₂)₃)作为前驱体，臭氧作为氧源，沉积循环次数在100‑200次范围内选择；d)借助磁控溅射系统在SiO₂阻挡氧化物表面生长一层银(Ag)作为上电极，借助磁控溅射系统在GaN衬底背面沉积一层银(Ag)作为下电极，形成Ag/GaN/SiO₂/La₂O₃/SiO₂/Ag存储结构的非易失性存储器件。

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摘要：本发明公开了一种台阶结构的形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成叠层结构，在叠层结构上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上旋涂光阻层，光阻层覆盖部分第一掩膜层；对光阻层进行多次修剪并作为掩膜，刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成预设数量的单层台阶层后，去除光阻层，并采用光刻工艺形成其他台阶层得到台阶结构；形成覆盖层，覆盖层覆盖台阶结构并与台阶结构中顶层台阶的上表面齐平；去除剩余的第一掩膜层。本发明中，通过同一个掩膜层形成台阶结构中最上面的多个单层台阶层，其不仅提升了形成台阶结构过程中化学机械研磨的工艺裕度，而且降低了制作成本。

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摘要：本发提供一种SONOS存储器件制备的集成工艺，属于半导体技术领域，包括：制备一复合结构；通过氘气退火工艺对所述复合结构中的所述SONOS器件和所述外围逻辑器件进行退火处理得到半成品结构；通过离子注入工艺对所述半成品结构进行离子注入处理得到SONOS存储器件。本发明的有益效果：本发明通过在现有的ONO膜层结构制备和刻蚀完毕后，增加一步氘气退火工艺，以最大程度地修复硅‑氧化硅的界面态，减少SONOS器件在数据保持过程中电荷通过界面态的流失，从而达到改善SONOS存储器件可靠性的目的；同时对外围逻辑器件栅氧化层与硅半导体基底之间界面态也具有修复作用，提高栅氧化层的质量，可以达到优化逻辑器件栅氧化层可靠性的作用。

集成的分裂栅非易失性存储器单元和逻辑结构-201410415106.8
发明人：阿桑加·H·佩雷拉;洪庄敏;康承泰;秉·W·闵;简·A·耶特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：提供了集成的分裂栅非易失性存储器单元和逻辑结构。制作半导体结构的方法包括在NVM区域中形成选择栅和电荷存储层。垫片选择栅是通过在回刻蚀之后沉积共形层而形成的。构图刻蚀导致在所述选择栅上保留所述电荷存储层的一部分。形成于逻辑区域中的哑元栅结构具有被绝缘层围绕的哑元栅。执行化学抛光导致所述电荷存储层的顶面与所述哑元栅结构的顶面共面。用包括另一个化学机械抛光的金属逻辑栅替代所述哑元栅的一部分导致所述电荷存储层的顶面与所述金属逻辑栅共面。

半导体装置结构-201711191879.2
发明人：陈胜捷;刘铭棋;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：提供一种集成电路以用于闪存装置，其于选择栅极结构与存储栅极结构之间具有扩大空间。在选择栅极结构形成角落凹陷可得到扩大空间，并缩小选择栅极结构的上表面尺寸。在一例中，半导体基板具有存储器装置形成其上，且存储器装置包含的半导体基板具有存储器装置形成其上。存储器装置包含多个选择栅极结构，以及与选择栅极结构相邻的多个存储栅极结构，其中至少一选择栅极结构具有凹陷角落形成于至少一选择栅极结构的上表面之下。

半导体存储器-201810736865.2
发明人：彭泽忠 -专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：半导体存储器，涉及存储器技术。本发明包括：至少两个导电条层，每个导电条层包括至少3条并列的导电条；设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱，立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°；在立柱和导电条交叉处设置有存储单元，所述存储单元包括第一导电类型区、第二导电类型区和设置于第一导电类型区与第二导电类型区之间的绝缘介质区；立柱沿其轴线方向设置有立柱导电区，立柱导电区与存储单元的第一导电类型区形成电连接；导电条沿其轴线设置有导电材料区，导电材料区与存储单元的第二导电类型区形成电连接。本发明具有存储密度高，成本低，可靠性高的特点。

半导体器件-201810626305.1
发明人：崔恩荣;梁俊圭;卢英辰;安宰永;梁在贤;刘东哲;崔宰浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠在衬底的上表面上。沟道区域穿过多个栅电极以垂直于衬底的上表面延伸。栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布在电荷存储层的厚度方向上是不均匀的。

分栅SONOS的制造方法-201810832870.3
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：本发明公开了一种分栅SONOS的制造方法，形成ONO层后，依次淀积第一多晶硅层、氮化硅层，刻蚀氮化硅层并在其侧面形成氧化层侧墙，刻蚀第一多晶硅层；形成SONOS存储管的源端，淀积第二多晶硅层，该第二多晶硅层直接和硅衬底连接，在第二多晶硅层顶部形成氧化层，湿法去除氮化硅层并再次刻蚀第一多晶硅层，热氧化形成逻辑区晶体管栅氧化层和选择管栅氧化层，同时在第一多晶硅层侧面形成热氧化层侧墙。淀积第三多晶硅层并刻蚀，同时形成SONOS存储管的多晶硅栅和逻辑区多晶硅栅。本发明能节省芯片面积，降低制造成本。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法在审

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