[实用新型]一种半导体装置有效
| 申请号： | 201821422009.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN209199947U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李元华;李光远;李在吉 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体装置，具体为合并式P‑本征‑N PiN肖特基二极管。在一般方面中，一种装置可包含：衬底；第一导电类型的第一支柱；第二导电类型的第二支柱，所述第一支柱及所述第二支柱交替安置；以及金属层，其具有安置在所述第一支柱上的第一部分及安置在所述第二支柱上的第二部分。所述金属层的所述第一部分可比所述金属层的所述第二部分宽。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 半导体装置 第一导电类型 肖特基二极管 本实用新型 导电类型 交替安置 合并式 安置 本征 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于所述半导体装置包括：衬底；第一导电类型的第一支柱；第二导电类型的第二支柱，所述第一支柱及所述第二支柱交替安置；及金属层，其具有直接安置在所述第一支柱的上部表面上的第一部分及直接安置在所述第二支柱的上部表面上的第二部分，所述金属层的所述第一部分比所述金属层的所述第二部分宽。
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