[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810828758.2 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767749B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨震;王刚宁;郭兵;赵国旭;赵晓燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构靠近漏区一侧的基底上，且还延伸至栅极结构靠近漏区一侧的侧壁和部分顶部；第一通孔互连结构，位于栅极结构和漏区之间的硅化物阻挡层上。本发明通过第一通孔互连结构，获得了一种改善LDMOS性能的方式，能够在降低导通电阻的同时，提高击穿电压、改善热载流子注入效应，使得LDMOS的整体性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；/n栅极结构，位于所述阱区和漂移区交界处的基底上；/n源区，位于所述栅极结构一侧的阱区内；/n漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；/n硅化物阻挡层，位于所述栅极结构靠近所述漏区一侧的基底上，所述硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构靠近所述漏区一侧的侧壁和部分顶部；/n第一通孔互连结构，位于所述栅极结构和漏区之间的硅化物阻挡层上。/n
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