[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式提供耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1电极、第2电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、第4半导体区域、第5半导体区域以及第6半导体区域。上述第4半导体区域设置在上述第1半导体区域的第1区域与上述第2半导体区域之间，导电型是第1导电型。上述第4半导体区域在第2方向上具有第一宽度。上述第6半导体区域设置在上述第1半导体区域的第2区域与上述第5半导体区域之间，导电型是第1导电型。上述第6半导体区域在上述第2方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度。

主权项

1.一种半导体装置，其中，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极与上述第2电极之间；第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域的第1区域与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；第2导电型的第3半导体区域，设置在上述第1半导体区域的第1区域与上述第2电极之间，在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上，与上述第2半导体区域并列配置，在与上述第1方向及上述第2方向垂直的第3方向上延伸，与上述第2电极电连接；第1导电型的第4半导体区域，设置在上述第1半导体区域的第1区域与上述第2半导体区域之间，在上述第2方向上具有第一宽度；第2导电型的第5半导体区域，设置在将上述第1半导体区域的上述第1区域在与上述第1方向交叉的平面内包围的上述第1半导体区域的第2区域、与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；以及第1导电型的第6半导体区域，设置在上述第1半导体区域的上述第2区域与上述第5半导体区域之间，在上述第2方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度。