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[发明专利]具有离散金属堆叠图案的堆叠电感器-CN202280017822.3在审
发明人：金钟海;C·H·芸;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电感器包括第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括第二金属化层多匝迹线，该第二金属化层多匝迹线通过至少一个第一过孔被耦合至第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括多个离散的第三金属化层迹线段，该多个离散的第三金属化层迹线段通过多个第二过孔耦合至第二金属化层多匝迹线。
具有离散金属堆叠图案电感器

[发明专利]具有将无源组件耦合至封装衬底的导电迹线的导电柱的芯片模块-CN202280011440.X在审
发明人： C·H·芸;D·D·金;P·A·泰德萨尔;N·朴;S·S·瓦达夫卡尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：移动电话和其他移动设备通过发射和接收RF信号来无线通信。无线设备中的发射器和接收器处理特定频率范围或频带中的RF信号。其他频率的信号可以通过例如由诸如电感器、电容器和电阻器等无源电气组件组成的集总元件电路或集总元件滤波器来阻挡或滤除。无源组件器件或集成无源设备是在裸片上用无源组件制作的集总元件滤波器的一个示例。在移动设备中，无源组件器件和用于信号处理的一个或多个集成电路或其他芯片通过被安装在(即，被耦合至)芯片模块或多芯片模块中的金属化结构或封装衬底上而互连。手持移动设备的小型化的需求驱动了减小移动设备内的芯片模块的大小的需要。
具有无源组件耦合封装衬底导电芯片模块

[发明专利]通过鳍式电容器设计的电容微调-CN202180087910.6在审
发明人： N·朴;C·H·芸;D·D·金;S·S·瓦达夫卡尔;P·A·泰德萨尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种器件包括主电容器(410)，该主电容器(410)由第一后段制程(BEOL)金属化层的第一板(412)、在第一板上的主绝缘体层和在主绝缘体层上的第二板组成。第二板由第二BEOL金属化层组成。该器件包括具有第一BEOL互连迹线(418)的第一部分的第一调谐电容器(420‑1)，第一互连迹线通过第一BEOL边线迹线(428)耦合到主电容器的第一板。第一调谐电容器由在第一BEOL互连迹线的第一部分的表面和侧壁上的第一绝缘体层组成。第一调谐电容器包括在第一绝缘体层的表面和侧壁上的第二BEOL互连迹线(432‑1)。该器件包括耦合到第一调谐电容器的第二BEOL互连迹线的第一过孔捕获焊盘(430‑1)。
通过电容器设计电容微调

[发明专利]包括耦合到可变电容的集成滤波器电路的可调谐电路以及相关的集成电路（IC）封装和制作方法-CN202180067826.8在审
发明人： C·H·芸;H·劳里拉;V·莱赫蒂萨洛;V·H·布鲁诺;D·D·金;P·A·泰德萨尔;N·帕克;W·程 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03J3/26 文献下载
摘要：一种示例性可调谐电路，包括耦合到节点的电感器和耦合到节点的第一电容器。可调谐电路还包括耦合到节点的可变电容器，使得可调谐电路的总电容取决于第一电容器的固定电容和可变电容器的可变电容。在一个示例中，电感器和第一电容器两者都被包括在无源器件中，并且可变电容器被包括在半导体器件中。可变电容器允许为了例如校准电容以考虑制造变化和/或调整到世界某个区域中的无线设备使用的操作频率范围的目的而修改总电容。与可变电容器相比，第一电容器可以是提供总电容的较大部分的更高品质的电容器。
包括耦合可变电容集成滤波器电路调谐以及相关集成电路 ic 封装制作方法

[发明专利]包括被配置作为用于滤波器的盖的集成无源器件的封装件-CN202180060024.4在审
发明人： C·H·芸;N·朴;D·D·金;P·A·泰德萨尔;S·S·瓦达夫卡尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种封装件(200)，包括集成器件(201)、集成无源器件(203)和空隙(215)。该集成器件被配置作为滤波器。该集成器件(201)包括衬底，该衬底包括压电材料，以及耦合到该第一衬底的第一表面的至少一个金属层(201)。该集成无源器件(203)耦合到该集成器件(201)。该集成无源器件(203)被配置作为用于该集成器件(201)的盖。该空隙(215)位于该集成器件(201)和该集成无源器件(203)之间。
包括配置作为用于滤波器集成无源器件封装

[发明专利]混合玻璃上无源(POG)声学滤波器-CN201780077210.2有效
发明人： D·F·伯迪;C·H·芸;古仕群;N·S·穆达卡特;M·F·维勒兹;左丞杰;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：一种集成射频(RF)电路组合无源器件和声学滤波器的互补特征，并且包括第一裸片、第二裸片和第三裸片。第一裸片包括具有一个或多个无源器件的衬底。第二裸片包括第一声学滤波器。第二裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。第三裸片包括第二声学滤波器。第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。
混合玻璃无源 pog 声学滤波器

[发明专利]包括弯曲天线的设备、封装和/或衬底-CN202180057544.X在审
发明人： C·H·芸;D·D·金;P·A·泰德萨尔;N·朴;S·S·瓦达夫卡尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：一种衬底，包括至少一个电介质层、多个互连件和被耦合到衬底的表面的弯曲天线。弯曲天线相对于衬底的表面弯曲，使得弯曲天线的至少一部分从衬底的表面偏移。衬底包括被耦合到衬底的表面的第一天线电介质层、被耦合到第一天线电介质层的天线接地互连件，以及被耦合到天线接地互连件的第二天线电介质层。天线接地互连件被配置成被耦合到地。弯曲天线被耦合到第二天线电介质层。
包括弯曲天线设备封装衬底

[发明专利]包括被配置用于功率放大器输出匹配的电容器的基底-CN202180031876.0在审
发明人： D·D·金姆;P·A·泰德萨尔;C·H·芸;S·S·瓦达夫卡尔;N·帕克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种包括基底和耦接到基底的功率放大器的设备。基底包括至少一个介电层、多个互连件以及被配置为操作为输出匹配元件的电容器，其中电容器由多个电容器互连件限定。功率放大器耦接到电容器。电容器被配置操作为功率放大器的输出匹配元件。基底包括耦接到电容器的电感器，其中电感器由至少一个电感器互连件限定。电容器和电感器被配置为作为谐振陷阱或输出匹配元件操作。
包括配置用于功率放大器输出匹配电容器基底

[发明专利]双侧电路-CN201780030358.0有效
发明人： C·H·芸;D·F·伯迪;左丞杰;D·D·金;金钟海;M·F·维勒兹;N·S·穆达卡特;R·P·米库尔卡 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本公开提供了电路和用于制造电路的方法。电路可以包括具有第一表面、第二表面、外围的绝缘体，布置在第一表面上的电路元件的第一子集，布置在第二表面上的电路的第二子集，以及布置在所述外围上的至少一个导电侧壁，其中所述导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集。
电路

[发明专利]使用过基板通孔或过模具通孔以及RDL来实现的BAW滤波器和3D电感器的共同封装-CN202080014982.3在审
发明人：刘凯;唐瑞;C·H·芸;M·F·维勒兹;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本公开的各方面涉及一种带通滤波器，其包括在输入端子和输出端子处具有两个匹配电感器的全晶格布置中的四个BAW谐振器。本公开的另外方面涉及将BAW滤波器芯片与嵌入式3D电感器组合。通过将正面和背面RDL(960、970、980；1667、1675)与过模具通孔、TMV(930)、或过基板通孔(1630)进行组合来将3D电感器嵌入模具(850)或载体基板(1610)中。BAW芯片与TMV电感器位于同一模具中，或位于包含TSV电感器的载体基板上。
使用基板通孔模具以及 rdl 实现 baw 滤波器电感器共同封装

[发明专利]可调谐匹配网络-CN201780029044.9有效
发明人：马云飞;左丞杰;D·F·伯迪;D·D·金;C·H·芸;J-H·J·兰;M·F·维勒兹;N·S·穆达卡特;R·P·米库尔卡;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：公开了一种可调谐匹配网络。在特定示例中，匹配网络包括在匹配网络的信号路径中的至少一个第一电感器。匹配网络包括在信号路径之外的至少一个第二电感器。匹配网络包括耦合到至少一个第二电感器的一个或多个开关。一个或多个开关被配置为选择性地启用至少一个第一电感器和至少一个第二电感器的相互耦合。
调谐匹配网络

[发明专利]高性能电感器-CN201680059886.4有效
发明人： D·D·金;M·F·维勒兹;C·H·芸;N·S·穆达卡特;金钟海;左丞杰;D·F·伯迪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-09-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：公开了一种电感器器件，其包括第一弯曲金属板、在第一弯曲金属板下方并且与第一弯曲金属板实质上垂直对准的第二弯曲金属板、以及在第一弯曲金属板与第二弯曲金属板之间垂直对准的第一伸长过孔，第一伸长过孔被配置为将第一弯曲金属板导电耦合到第二弯曲金属板并且具有至少大约2比1的第一伸长过孔的宽度与高度的横纵比。
性能电感器

[发明专利]用于改进的多路复用器性能的多密度MIM电容器-CN201780050522.4有效
发明人： N·S·穆达卡特;D·F·伯迪;C·H·芸;左丞杰;古仕群;M·F·维勒兹;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：一种无源器件可以包括具有互连迹线区段的电感器。无源器件还可以包括平行板电容器。多个平行板电容器中的每一个可以具有在一对导电板之间的电介质层。平行板电容器可以不与多于一个互连迹线区段重叠。
用于改进多路复用性能密度 mim 电容器

[发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN201680074659.9有效
发明人： D·F·伯迪;D·D·金;N·S·穆达卡特;J-H·J·兰;左丞杰;C·H·芸;M·F·维勒兹;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：示例性MIM电容器可以包括第一金属板、在第一金属板上的电介质层、在电介质层上的第二金属板、在第二金属板上的过孔层以及在过孔层上的第三金属板，其中第二金属板具有锥形轮廓，该锥形轮廓具有第一侧和比第一侧更长的第二侧，使得第二侧针对电流提供更低的电阻路径。
金属板电介质层锥形轮廓电流提供电阻路径制造

[发明专利]扇出型晶片级封装件(FOWLP)中的射频(RF)屏蔽-CN201680011766.7有效
发明人： D·D·金;D·F·伯迪;M·F·维勒兹;C·H·芸;左丞杰;金钟海;M·M·诺瓦克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：接地屏蔽通过具有传导性表面的导体屏蔽件来实现，传导性表面直接围绕扇出型晶片级封装件(FOWLP)模块或器件内的各个芯片。FOWLP模块或器件内的各个芯片之间的模块间屏蔽通过由直接围绕每个芯片的导体屏蔽件的表面提供的电磁或无线电信号(RF)隔离来实现。导体屏蔽件直接连接到FOWLP的一个或多个接地的导体部分，以确保可靠的接地。
扇出型晶片封装 fowlp 中的射频 rf 屏蔽

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