[发明专利]具有自对准焊料凸块的衬底通孔在审
申请号: | 201780089942.3 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN110574158A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | D·亚伯拉罕;J·M·科特 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李永敏;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 半导体结构和形成该半导体结构的方法包括与衬底通孔自对准的焊料凸块,其中,焊料凸块和衬底通孔由导电金属材料形成,并且其中衬底通孔耦合到由不同的导电金属材料形成的掩埋金属化层。 | ||
搜索关键词: | 衬底 通孔 导电金属材料 半导体结构 焊料凸块 金属化层 自对准 耦合到 掩埋 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,该方法包括:/n提供基础衬底、载体衬底以及在基础衬底和载体衬底之间的掩埋金属化层,以及在载体衬底的顶表面上的第一导电金属材料的顶部金属化层;/n在载体衬底中形成到掩埋金属化层的未填充的衬底通孔;/n在限定未填充的衬底通孔的表面上、限定载体衬底和第一导电金属材料层上围绕未填充的衬底通孔周边的表面上形成第二导电金属材料的凸块下金属化层,其中凸块下金属化层耦接至掩埋金属化层和顶部金属化层,并且其中第一和第二导电金属材料不同;/n沉积并图案化牺牲层以形成开口以暴露未填充的衬底通孔、载体衬底和顶部金属化层上围绕未填充的通孔的周边;/n用第三导电金属材料填充开口以形成填充的衬底通孔;和/n去除牺牲层,以形成与已填充的衬底通孔自对准的圆柱状的焊料凸块。/n
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