[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780016088.8 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109075225B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 小池豪;胜野弘;加贺広持;泽野正和;任郁雄;宫部主之 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体发光元件具有积层体。所述积层体具有第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层之上的发光层及设置在所述发光层之上的第2导电型的第2半导体层。所述积层体在上表面具有朝从所述第1半导体层朝向所述发光层的第1方向突出的第1突出部。所述第1突出部在相对于所述第1方向垂直的第2方向上的长度朝向所述第1方向减少。所述第1突出部具有第1部分及第2部分。所述第1部分具有相对于所述第1方向倾斜的第1侧面。所述第2部分设置在所述第1部分之下，且具有相对于所述第1方向倾斜的第2侧面。所述第2侧面以朝向下方凸出的方式弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具备积层体，所述积层体具有第1导电型的第1半导体层、设置在所述第1半导体层之上的发光层及设置在所述发光层之上的第2导电型的第2半导体层，并且在所述积层体的上表面具有朝从所述第1半导体层朝向所述发光层的第1方向突出的第1突出部，所述第1突出部在相对于所述第1方向垂直的第2方向上的长度朝向所述第1方向减少，所述第1突出部具有：第1部分，具有相对于所述第1方向倾斜的第1侧面；以及第2部分，设置在所述第1部分之下，具有相对于所述第1方向倾斜的第2侧面，且所述第2侧面以朝向下方凸出的方式弯曲。
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- 石崎顺也;古屋翔吾 - 信越半导体株式会社
- 2015-12-09 - 2019-06-25 - H01L33/22
- 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
- 发光器件和用于制造发光器件的方法-201480008311.0
- C.E.蒂姆梅林;M.A.维舒尤伦;T.洛佩滋;A.R.巴肯恩德 - 亮锐控股有限公司
- 2014-01-31 - 2019-04-16 - H01L33/22
- 本发明涉及发光器件（100），其包括：衬底（102）；布置在衬底（102）上的发光二极管结构（106），二极管结构（106）包括第一半导体层（108）、有源区（110）和第二半导体层（112），其中二极管结构的光输出表面包括多个突出表面结构（104），每个突出表面结构具有峰高度、侧壁斜率（122）和相对于衬底的取向，多个突出表面结构（104）包括第一组和第二组突出表面结构，第一组和第二组突出表面结构在峰高度、侧壁斜率和相对于衬底的取向的至少一个上不同。本发明还涉及用于制造发光器件的方法，其中突出表面结构通过形成三维图案的压印光刻法和随后的蚀刻来形成。
- 发光器件-201580034883.0
- 李大熙 - LG伊诺特有限公司
- 2015-06-22 - 2019-04-09 - H01L33/22
- 根据实施例的发光器件包括：第一发光单元，该第一发光单元包括至少一个发光单体；第二发光单元，该第二发光单元具有多个发光单体，其中发光单体具有发光结构和被布置在发光结构之下的第一电极层；多个焊盘，多个焊盘被布置在第一发光单元的发光单体上，并且被连接到第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单体；多个连接层，该多个连接层从第一发光单元的发光单体的下部区域延伸到第二发光单元的多个发光单体的下部区域；第二电极层，该第二电极层被布置在第一发光单元和第二发光单元的发光单体之下；绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极层和第二电极层之间；以及间隙单元，该间隙单元被布置在该至少一个发光单体和该多个发光单体之间，其中多个连接层中的每个通过间隙单元的下部区域连接到第二发光单元的多个发光单体。
- 专利分类
