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- [发明专利]半导体发光装置-CN201810687787.1有效
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加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-03-10
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2022-05-03
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H01L25/075
- 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体发光装置-CN201610137734.3有效
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泽野正和;胜野弘;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-03-10
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2020-07-21
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H01L33/62
- 本发明的半导体发光装置包括：发光体，包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层；配置在发光体的第2半导体层侧的衬底；在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层，其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层，其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层，其隔着导电层设置在延伸部；发光体包括：包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面；并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹陷部，其侧壁经由曲面与侧面连接。
- 半导体发光装置
- [发明专利]发光装置及该发光装置的制造方法-CN201410454200.4有效
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井上一裕;小串昌弘;江越秀德
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阿尔发得株式会社
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2014-09-05
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2020-06-30
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H01L33/48
- 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据实施方式，提供一种包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、第二半导体发光元件的发光装置。第一透光部设在基板上为透光性。树脂体设在基板与第一透光部之间为光反射性，包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分与第一透光部相接。第二部分在与从基板朝向第一透光部的第一方向交叉的第二方向与第一部分隔开，与第一透光部相接。第三部分在第二方向与第一部分及第二部分隔开，设置在第一部分与第二部分之间，与第一透光部相接。第一半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第一部分与第三部分之间。第二半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第二部分与第三部分之间。
- 发光装置制造方法
- [发明专利]半导体发光元件-CN201610016212.8有效
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加贺广持;岡俊行;泽野正和;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-01-11
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2019-12-10
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H01L33/02
- 半导体发光元件包含基体、第1～6半导体层、第1～3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔，与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体与基体相隔。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。
- 半导体发光元件
- [发明专利]GAN-类LED用反射接触-CN201610018396.1有效
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佐藤泰介
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阿尔发得株式会社
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2016-01-12
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2019-10-18
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H01L33/36
- 本发明涉及GAN‑类LED用反射接触。公开具有反射接触的发光二极管(LED)组件的形成方法，和提供该方法形成的LED组件。在一个实施方案中，该方法包括形成在基板表面上形成LED，所述LED包括在具有第一导电性类型的包括化合物半导体材料的第一层与具有第二导电性类型的包括化合物半导体材料的第二层之间设置的发光层，所述化合物半导体材料包括III族元素和V族元素。该方法进一步包括形成从第一层的与第二层相反的表面向内延伸的氧化区域。在一个实施方案中，氧化区域通过将第一层的表面进行氧(O2)等离子体灰化来形成。
- ganled反射接触
- [发明专利]半导体发光装置-CN201610012015.9有效
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小幡进;小岛章弘
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阿尔发得株式会社
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2016-01-08
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2019-06-14
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H01L33/62
- 本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排，与第一区域电性连接，第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体发光装置-CN201610137827.6有效
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加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之
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阿尔发得株式会社
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2016-03-10
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2018-09-28
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H01L27/15
- 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
- 半导体发光装置
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