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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法-CN201910880386.2有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
发光组件以及制造方法

[发明专利]接合晶圆的制造方法及接合晶圆-CN202180023402.1在审
发明人：石崎顺也;古屋翔吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种接合晶圆的制造方法，其是将通过使化合物半导体在生长基板上外延生长而成的化合物半导体晶圆与被接合晶圆接合的接合晶圆的制造方法，其特征在于，使所述被接合晶圆的接合面的面积大于所述化合物半导体晶圆的接合面的面积，且将所述被接合晶圆与所述化合物半导体晶圆接合后，去除所述生长基板。由此，能够提供一种可抑制裂纹的产生的接合晶圆的制造方法。
接合制造方法

[发明专利]电子器件的制造方法-CN202080026889.4在审
发明人：石崎顺也;古屋翔吾;秋山智弘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
电子器件制造方法

[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法-CN201780045605.4有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾;铃木金吾;池田淳;铃木谦一;山田雅人 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
发光组件以及制造方法

[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法-CN201680037656.8有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。
发光组件以及制造方法

[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法-CN201580056613.X有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光组件以及发光组件的制造方法，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，其中发光组件具有除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于除去部的窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的外周部除外的表面以及窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且发光部侧面的Rz为未满2μm。因此使漏电不良或ESD不良的发生受到抑制。
发光组件以及制造方法

[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法-CN201580069819.6有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
发光组件以及制造方法

[发明专利]发光组件的安装方法-CN201680042450.4有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。
发光组件安装方法

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