[发明专利]一种碱金属定量填充的原子气室制备装置与制备方法有效
| 申请号： | 201711420607.5 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108411253B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黄伟;刘院省;赵连洁;李新坤;王风娇;王妍;王学锋 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐辉 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碱金属定量填充的原子气室制备方法包括充排气系统、N个原子气室、碱金属分装容器、温箱、TEC控温系统、碱金属发生器、用于连接充排气系统和碱金属分装容器的真空阀1、用于连接碱金属分装容器和碱金属发生器的真空阀2、用于连接碱金属分装容器和1号原子气室的真空阀3。本发明通过主动精确控制碱金属分装容器内温度分布，从而实现碱金属的定向沉积。利用某一原子气室进行沉积速率的标定进而实现碱金属的定量填充。本发明在上述碱金属定量填充过程中采用主动控温实现碱金属定向、定量填充，与传统填充方式相比，不仅实现了所填充碱金属的量化控制，同时提高了填充的一致性，更为原子气室的批量生产提供了可行方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碱金属 定量 填充 原子 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碱金属定量填充的原子气室制备装置，其特征在于，包括充排气系统、N个原子气室(4)、碱金属分装容器(5)、温控系统和碱金属发生器；碱金属发生器能够生成气态碱金属原子，进入碱金属分装容器；N个原子气室(4)的开口端能够分别连接到碱金属发生器；充排气系用于控制原子气室(4)以及碱金属分装容器(5)内的充气和抽真空；温控系统用于控制N个原子气室(4)和碱金属发生器的温度。
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- 2021-04-29 - 2023-04-25 - C23C14/18
- 本发明公开了一种银纳米柱‑多孔银纳米管‑花瓣状银纳米凸起阵列及其制备方法和用途。该阵列包括位于银纳米膜上的大量银纳米柱‑多孔银纳米管‑花瓣状银纳米凸起结构单元，该结构单元由银纳米柱、多孔银纳米管和花瓣状银纳米凸起组成，花瓣状银纳米凸起由6个相连成环的银纳米颗粒组成；制备方法包括在通孔氧化铝模板上表面磁控溅射银，在氧化铝模板孔道顶端形成岛状颗粒膜，再在氧化铝模板上原子层沉积氧化铝薄膜、磁控溅射银膜，置于银电解液中沉积形成银纳米柱，去除氧化铝模板和氧化铝薄膜即制得。该阵列可作为表面增强拉曼散射(SERS)的活性基底来测量其上附着的痕量有机物，能检测出浓度低至10
- 金属基底及其制备方法-202111185471.0
- 杜音;阎睿;唐际琳;曹轶森;杨雨佳;彭海琳 - 北京石墨烯研究院;北京大学
- 2021-10-12 - 2023-04-14 - C23C14/18
- 本发明提供一种金属基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底上通过磁控溅射制备金属基底，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底进行自转，所述自转的转速为30～50转/分钟。还公开该方法制备的金属基底。本发明的金属基底的制备方法，通过磁控溅射这一物理气相沉积制备，在蓝宝石基底上溅射过程中，保持蓝宝石以一定转速自转，可以提高溅射制备的金属基底与蓝宝石的附着力，从而减少或避免退火过程中金属挥发产生孔洞。更进一步，通过选择特定的磁控溅射功率，进一步提高金属基底与蓝宝石的附着力，从而防止退火时产生孔洞。
- 一种空间深冷热控涂层及其制备方法-202211164097.0
- 吕金鹏;陈卓;文相宇 - 南京航空航天大学
- 2022-09-23 - 2023-04-07 - C23C14/18
- 本发明公开了一种空间深冷热控涂层及其制备方法，属于新材料领域；本发明深冷热控涂层材料由表面辐射层、中间反射层和背面保护层组成，本发明中表面辐射层宜具有较高的长波红外截止频率，如氟化物；中间反射层用于高效反射太阳热流，如Ag、Al层；背面保护层用于防护涂层的空间原子氧氧化，如镍薄膜层。制备的涂层为氟化物/Ag/镍三层复合结构。涂层的太阳吸收比低至0.03，红外反射截止波长为8~12µm，涂层热平衡温度低至50K，可应用于空间服役的各类航天器的低温设备的热控系统。此外，该涂层在地面环境中亦具有辐射制冷效应，可获得比大气环境温度低5℃以上的的降温效果，可用于建筑物和工业设备的降温节能。
- 碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件-202010576175.2
- 蔡凯;郭少聪;王军;周维 - 比亚迪股份有限公司
- 2020-06-22 - 2023-04-07 - C23C14/18
- 本发明提供了碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件，该碳化硅籽晶包括：碳化硅籽晶本体；碳化硅过渡层，所述碳化硅过渡层覆盖在所述碳化硅籽晶本体的背面上；碳层，所述碳层覆盖在所述碳化硅过渡层远离所述碳化硅籽晶本体的表面上。该碳化硅籽晶可以有效避免背面蒸发问题，提高生长晶体的质量的同时，相邻两层之间的结合力强，脱落风险显著降低。
- 专利分类
