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[发明专利]一种爆炸箔及其批量化制备方法-CN202310046859.5在审
发明人：武绍宽;戚云娟;段亮;潘婷;吕小俊 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种爆炸箔及其批量化制备方法，属于点火起爆装置和微电子机械技术领域。所述爆炸箔为由下向上依次由Ti膜、Al膜、Ni膜、Cu膜和Au膜组成的复合膜；所述Ti膜的厚度为5～200nm，Al膜的厚度为100～300nm、Ni膜的厚度为100～300nm、Cu膜的厚度为1000～5000nm，Au膜的厚度为5～100nm；所述爆炸箔以蓝宝石晶圆为衬底，采用匀胶光刻和磁控溅射镀膜工艺在晶圆上由下向上依次沉积Ti、Al、Ni、Cu、Au膜，最后通过激光切割划片并在衬底上加工通孔，得到沉积有所述爆炸箔的单个晶圆；全过程采用半导体制备工艺，可批量化生产，提高生产效率，降低成本并提高爆炸箔的精度。
一种爆炸及其批量制备方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法-CN201911349059.0有效
发明人：潘婷;李大全;毛昭勇;戚云娟;薛晓婷;李敏 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，属于传感器测量技术领域。本方法采用等离子体刻蚀在惠斯通电桥桥臂上刻蚀零位调整电阻，通过调整惠斯通电桥桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。本发明所述方法能够实现初始零位偏差值较大的薄膜传感器的零位调整，调整过程环保无污染，而且调整后的薄膜传感器使用温度范围宽。
一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位方法

[实用新型]一种呈线性输出的薄膜NTC热敏电阻器-CN202222750943.9有效
发明人： 戚云娟;武绍宽;潘婷;张方;余坤峰;薛小婷;李莹;王安邦 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种呈线性输出的薄膜NTC热敏电阻器，属于热敏电阻技术领域。所述热敏电阻器包括衬底、绝缘膜、NTC薄膜以及叉指电极；其中，绝缘膜位于衬底上，NTC薄膜位于绝缘膜上，叉指电极位于NTC薄膜上且均匀分布，叉指电极的两个电极与外接导线连接。该热敏电阻器采用叉指电极，能够使电阻值随温度呈线性变化，便于电路设计，降低对电路需求，无需电路补偿，而且输出信号抗干扰能力强；另外，叉指电极为多电极结构，可以根据使用需求选择叉指电极中的任意两个电极连接，对应不同电阻值和线性方程，方便使用。
一种线性输出薄膜 ntc 热敏电阻器

[发明专利]一种离子束溅射镀膜堵片传感器的制备改进方法-CN201911342346.9有效
发明人： 戚云娟;李大全;毛昭勇;潘婷;郭姗姗;张苗 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束溅射镀膜堵片传感器的制备改进方法。本发明所设计的传感器的结构设计上，增加了引线焊接定位结构和拉断位置机构设计，不仅提高了焊接的可操作性，且使阻值一致性和拉断位置可控性得到了显著提高。
一种离子束溅射镀膜传感器制备改进方法

[发明专利]一种起爆器爆炸桥箔的制作方法-CN201811385797.6有效
发明人：潘婷;邓勇生;戚云娟;戚龙;薛小婷;王莹 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： F42B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种起爆器爆炸桥箔的制作方法，包括陶瓷基底的表面处理，陶瓷基底经过表面处理研磨抛光后，表面粗糙度达到小于15nm时，将陶瓷基底放入酒精进行超声波清洗干净并用氮气吹干，在待镀膜面上均匀涂覆一层光刻胶，通过紫外光刻工艺在光刻胶表面制作特定的桥箔掩膜图形，将胶膜经过固胶处理后，采用双离子束溅射镀膜工艺在陶瓷基底待镀膜面叠加沉积纯钛、纯铜和纯金三种膜层，桥箔制作结束后放入酒精进行超声波清洗去胶获得最终的桥箔图形，桥箔电阻值范围为30～50Ω。采用该工艺制作的爆炸桥箔与基底的附着力较高，桥箔纯度高使桥箔在燃爆过程中能量利用率高，可靠性高。
一种起爆爆炸制作方法

[发明专利]一种离子束溅射薄膜高温应变片及其制备方法-CN202011339181.2在审
发明人： 戚云娟;潘婷;高波;薛晓婷;蔺露;李莹 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束溅射薄膜高温应变片及其制备方法，该离子束溅射薄膜高温应变片包括镍基合金基底、绝缘薄膜层、镍铬丝栅薄膜层、保护薄膜层以及电极薄膜；镍基合金基底、绝缘薄膜层、以及镍铬丝栅薄膜层从下到上依次层叠设置；电极薄膜和保护薄膜层均通过离子束溅射镀膜工艺沉积于镍铬丝栅薄膜层的顶部，电极薄膜和保护薄膜层同层设置；镍铬丝栅薄膜层由通过离子束溅射镀膜工艺沉积于绝缘薄膜层的镍铬薄膜层经过刻蚀形成；电极薄膜用于连接耐高温导线。上述离子束溅射薄膜高温应变片能够在高温下进行稳定的测量工作。
一种离子束溅射薄膜高温应变及其制备方法

[发明专利]一种真空封装的溅射薄膜压力敏感元件-CN201911340713.1在审
发明人：戚龙;潘婷;鹿文龙;戚云娟;雷玥;王莹 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空封装的溅射薄膜压力敏感元件，属于压力测量装置技术领域。本发明通过将暴露在大气中的敏感薄膜进行真空封装，使溅射薄膜压力敏感元件的表面存在一层真空层，使得敏感薄膜与大气产生隔离，减少空气产生的氧化作用并能够减小溅射薄膜压力敏感元件因大气压力变化而产生的测量误差，该溅射薄膜压力敏感元件具有精度高、稳定性高、使用温度范围广及动态频响高的特点，能够极大扩展溅射薄膜压力敏感元件的应用范围。
一种真空封装溅射薄膜压力敏感元件

[实用新型]一种基于离子束溅射薄膜的堵片传感器-CN201820133621.0有效
发明人： 戚云娟;邓勇生;潘婷;王文卷;聂俊 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于离子束溅射薄膜的堵片传感器，包括一个由聚酰亚胺绝缘材料制作的基底，在基底表面设置有一层由Ti薄膜材料制作的过渡膜层，在过渡膜层上表面的中间区域制作有由Cu薄膜材料制作的电阻应变计导电膜层，在电阻应变计导电膜层上设有一层由Si3N4薄膜材料制作的保护膜层，在保护膜层上表面的两侧各设有一块与电阻应变计导电膜层两端引出电极连通的电极膜片。本实用新型可使堵片传感器的灵敏度，分辨率、测量范围小、测量精度等得到提高，可实现对堵片打开信号的可靠、稳定测量，满足航天飞行器发动机控制系统信号测试需要。
堵片电阻应变计导电膜层传感器本实用新型离子束溅射薄膜材料保护膜层过渡膜层制作上表面薄膜测量发动机控制系统两端引出电极航天飞行器电极膜片基底表面聚酰亚胺绝缘材料稳定测量信号测试中间区域灵敏度分辨率基底连通

[实用新型]一种三余度的薄膜压力敏感元件-CN201721604021.X有效
发明人：潘婷;戚龙;戚云娟;闫军花;薛小婷;李莹 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三余度的薄膜压力敏感元件，包括一个金属材料制帽形弹性体，在弹性体的表面镀有介质膜，在介质膜表面通过离子束溅射沉积工艺镀有应变合金膜，在应变合金膜的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区，应变电阻包括六对电阻，每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥，三个惠斯通电桥形成三路输出信号，在应变合金膜的应变电阻区域上镀有保护膜，在保护膜上位于应变合金膜形成的应变电阻的端子区域镀有镍膜。本实用新型是在薄膜压力敏感元件制作时将测量输出信号的惠斯通电桥进行三路输出的冗余设计，当一路输出信号出现故障时，可通过其他冗余信号进行测量，具有结构新颖、使用方便、测量范围宽、测量稳定性及可靠性好等优点。
应变电阻应变合金惠斯通电桥薄膜压力敏感元件本实用新型测量保护膜离子束溅射沉积测量输出信号三路输出信号介质膜表面金属材料电阻组成端子区域光刻工艺冗余设计冗余信号输出信号表面镀介质膜膜形成电阻镍膜三路输出制作

[实用新型]一种基于薄膜应变计的弓形梁传感器-CN201621364545.1有效
发明人：王文卷;郇光周;高健;戚龙;戚云娟;姜鑫 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于薄膜应变计的弓形梁传感器，包括一个由金属材料制成的中部向上拱起的弓形梁结构和一个粘贴在弓形梁结构中部拱起部位的下表面的薄膜应变计，所述的薄膜应变计由应变计基底、应变计丝栅、应变计引线和应变计保护膜组成，其中，基底粘贴在弓形梁结构中部拱起部位的下表面，应变计丝栅为一个设置在基底表面的呈蛇形排布的金属丝栅，应变计引线的一端焊接在应变计丝栅的端点焊接处，另一端外接连至数据采集系统，在应变计丝栅表面设有应变计保护层膜。本实用新型的特点是可实现对结构大应变测量，输出信号大小与结构的应变成正比例关系，同时具有长期可靠性高、寿命长、测量精度高等优点。
一种基于薄膜应变弓形传感器

[实用新型]高灵敏度薄膜压力传感器-CN201621383853.9有效
发明人：潘婷;戚云娟;戚龙;闫军花 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高灵敏度薄膜压力传感器，具有一个下部装有压力接口座的中空壳体，在壳体上端套装有接插组件，在压力接口座上部设有敏感芯体元件和线路板支架，在线路板支架上安装有复制了惠斯通电桥电路的转接电路板，敏感芯体元件包括一个下部焊接在压力接口座上的敏感弹性体，在敏感弹性体表面依次设置有绝缘膜、应变膜、焊接膜和保护膜，其中在应变膜上复制有惠斯通电桥，线路板支架上安装有转接电路板，转接电路板的输入端及输出端分别与敏感芯体元件上惠斯通电桥的信号输出端以及接插组件连接。本实用新型由于采用氮氧化钛薄膜作为应变膜感受应变，使压力传感器的灵敏度得到提高，同时还具有长期稳定性好、测量温度范围宽的优点。
灵敏度薄膜压力传感器

[实用新型]一种耐500V高绝缘强度溅射薄膜敏感元件-CN201621384143.8有效
发明人： 戚云娟;戚龙;潘婷;闫军花;鹿文龙 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐500V高绝缘强度溅射薄膜敏感元件，包括弹性体，在弹性体的表面自下而上依次设置有SiO2绝缘过渡膜层，Si3N4绝缘膜层、NiCr应变电阻膜层、Si3N4保护膜层和电极膜层，在应变电阻膜层上复制有惠斯通电桥。本实用新型所述薄膜敏感元件作为溅射薄膜传感器的核心器件，可提高薄膜传感器的可靠性及长期稳定性，满足航天、煤炭机械等恶劣环境对薄膜传感器的高可靠性及稳定性使用要求。
一种 500 绝缘强度溅射薄膜敏感元件

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