[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201711156797.4 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109427913A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安;许健;席德·内亚兹·依曼;杨明哲;李颖华 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/098;H01L27/088;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置，包含半导体基底，具有第一导电类型，深井区设置于半导体基底内，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一井区设置于半导体基底内且具有第二导电类型，其中第一井区位于深井区上方，且第一井区的一部分邻接深井区，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区设置于第一井区内，其中第一和三掺杂区具有第二导电类型，且第二掺杂区具有第一导电类型，以及顶层设置于第一井区内且具有第一导电类型，其中顶层位于第一和二掺杂区之间，且顶层与第二掺杂区之间相隔一距离，其中前述之距离与半导体装置的夹止电压具有正向的线性关系。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 第一导电类型 半导体基底 半导体装置 导电类型 深井区 顶层 井区 线性关系 邻接 正向 相隔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一导电类型；一深井区，设置于该半导体基底内，具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；一第一井区，设置于该半导体基底内且具有该第二导电类型，其中该第一井区位于该深井区上方，且该第一井区的一部分邻接该深井区；一第一掺杂区、一第二掺杂区和一第三掺杂区，设置于该第一井区内，其中该第一掺杂区和该第三掺杂区具有该第二导电类型，且该第二掺杂区具有该第一导电类型；以及一顶层，设置于该第一井区内且具有该第一导电类型，其中该顶层位于该第一掺杂区和该第二掺杂区之间，且该顶层与该第二掺杂区之间相隔一距离，其中该距离与该半导体装置的夹止电压具有一正向的线性关系。
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