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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201910788574.2有效
发明人： 席德·内亚兹·依曼;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括提供半导体基板、于半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。第一N型注入区与第二N型注入区被半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于半导体基板中形成第一P型注入区、对半导体基板进行热处理工艺以于半导体基板中形成P型阱与N型阱。N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分，第三部分位于第一部分与第二部分之间，第三部分的掺杂浓度低于第一部分的掺杂浓度与第二部分的掺杂浓度。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]高电压半导体结构及其制造方法-CN201911075512.3在审
发明人：韦维克;席德·内亚兹·依曼;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电压半导体结构及其制造方法包括一衬底，该衬底有依序相邻的第一N型阱、P型隔离阱及第二N型阱。P型重掺杂区设置在该P型隔离阱的表层，其中该P型隔离阱与该P型重掺杂区构成掺杂隔离结构。第一场氧化层与第二场氧化层设置在该衬底的表层与该P型重掺杂区接触且位于两侧。高电压元件形成在该第一N型阱中。外围元件形成在该第二N型阱中，其中该掺杂隔离结构隔离该高电压元件与该外围元件。N型埋入层在该衬底中，位于该第一N型阱与该第二N型阱的部分的底部。
电压半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910853606.2在审
发明人：韦维克;席德·内亚兹·依曼;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基板、第一导电型阱、第二导电型埋层、第一第二导电型阱、第一第二导电型掺杂区、第二第二导电型阱以及第二第二导电型掺杂区。第一导电型阱设置于基板上。第二导电型埋层设置于第一导电型阱内，且与基板距离第一既定距离。第一第二导电型阱设置于第一导电型阱内且位于第二导电型埋层之上，并连接至第二导电型埋层。第一第二导电型掺杂区设置于第一第二导电型阱内。第二第二导电型阱设置于第一导电型阱内以及第二导电型埋层的上方，并与第二导电型埋层距离第二既定距离。第二第二导电型掺杂区设置于第二第二导电型阱内。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]晶体管元件-CN201910831252.1在审
发明人： 席德·内亚兹·依曼;韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管元件包括一基底，该基底是第一导电型。第二导电型的埋入层形成在该基底中的表层区域。该第二导电型的该埋入层包含中心区域，多个分离区域由该中心区域向外分布，及外围区域在该多个分离区域的外围。外延层形成在该基底上。该第一导电型的高电压阱形成在该外延层中。该第一导电型的金属氧化物半导体晶体管形成在该高电压阱上。该第二导电型的该埋入层的该中心区域是在该金属氧化物半导体晶体管的漏极区域的下方。
晶体管元件

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201811453965.0在审
发明人：许健;韦维克;陈柏安;谢克·麦斯坦巴雪;戴许曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·内亚兹·依曼 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
埋层半导体基底第一导电类型导电类型高压阱高压半导体装置外延层漏极区源极区延伸制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711156797.4在审
发明人：陈柏安;许健;席德·内亚兹·依曼;杨明哲;李颖华 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包含半导体基底，具有第一导电类型，深井区设置于半导体基底内，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一井区设置于半导体基底内且具有第二导电类型，其中第一井区位于深井区上方，且第一井区的一部分邻接深井区，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区设置于第一井区内，其中第一和三掺杂区具有第二导电类型，且第二掺杂区具有第一导电类型，以及顶层设置于第一井区内且具有第一导电类型，其中顶层位于第一和二掺杂区之间，且顶层与第二掺杂区之间相隔一距离，其中前述之距离与半导体装置的夹止电压具有正向的线性关系。
掺杂区第一导电类型半导体基底半导体装置导电类型深井区顶层井区线性关系邻接正向相隔制造

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