[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装有效
申请号: | 201711144300.7 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN108172576B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 刘希昱;李垣哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B12/00 | 分类号: | H10B12/00;H01L23/64 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装,该半导体器件包括能够保证容量并表现出改善的可靠性的电容器。该半导体器件包括:基板,具有单元块;多个电容器,在基板的单元块中并具有第一电极;以及支撑图案,接触该多个电容器的第一电极的侧壁并支撑该多个电容器,其中支撑图案包括上支撑图案,该上支撑图案包括:第一上图案,具有在单元块中连接为整体的板状结构;和第二上图案,接触第一上图案的底表面并具有比第一上图案的底表面小的面积的顶表面,上支撑图案接触第一电极的上端的侧壁。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 包括 半导体 封装 | ||
具有单元块的基板;
在所述单元块中的多个电容器,所述多个电容器在第一方向上延伸并具有第一电极,所述第一电极具有远离所述基板的表面的上端,所述第一电极具有侧壁;以及
支撑图案,接触所述多个电容器的所述第一电极的侧壁并配置为支撑所述多个电容器,
所述支撑图案包括上支撑图案,所述上支撑图案包括:
第一上图案,具有顶表面和底表面,所述顶表面和所述底表面平行于所述基板的所述表面,所述顶表面和所述底表面具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第三方向上延伸并且在所述单元块中连续地连接的板状结构,以及
第二上图案,接触所述第一上图案的所述底表面并具有顶表面,该顶表面具有比所述第一上图案的底表面的表面面积小的表面面积,
所述上支撑图案接触所述第一电极的上端的侧壁。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,当从所述第一方向看时,所述第二上图案与所述第一上图案的所述底表面的边缘分隔开并且所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的内部部分。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二上图案包括上外部图案,该上外部图案接触所述电容器的当从所述第一方向看时邻近所述第一上图案的所述底表面的角落并邻近所述第一上图案的所述底表面的边缘的至少一部分的所述第一电极,所述边缘连接到所述角落。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,当从所述第一方向看时,所述上外部图案具有环形状,该环形状邻近所述第一上图案的所述底表面的所述边缘并连续地延伸。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述上外部图案包括至少两个上外部图案,当从所述第一方向看时所述至少两个上外部图案邻近所述第一上图案的所述底表面的不同角落,并彼此分隔开。6.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第二上图案还包括上内部图案,当从所述第一方向看时,该上内部图案与所述上外部图案分隔开并具有岛形状。7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述第一上图案包括多个上开口,并且所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的与所述上开口分隔开的部分。
8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述上外部图案的厚度基本上等于所述上内部图案的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述上支撑图案还包括第三上图案,该第三上图案配置为接触所述第二上图案的底表面,并且当从所述第一方向看时,该第三上图案具有比所述第二上图案的所述底表面大的表面面积的顶表面。10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中当从所述第一方向看时,所述第三上图案具有与所述第一上图案相同的平面形状。11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述支撑图案还包括下支撑图案,该下支撑图案接触所述多个电容器的所述第一电极的所述上端下面的侧壁并具有与所述第一上图案相同的平面形状。12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述多个电容器包括在所述单元块的内部区域中的多个功能电容器以及在所述单元块的外部区域中并围绕所述多个功能电容器的多个虚设电容器,所述第一上图案同时支撑所述多个功能电容器中的至少一些以及所述多个虚设电容器中的至少一些,以及
所述第二上图案支撑所述多个虚设电容器中的至少一些。
13.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述第二上图案连续地围绕所述多个功能电容器。14.一种半导体器件,包括:基板,具有通过周边区域而彼此分隔的多个子单元块;
多个电容器,在所述基板的所述子单元块中,所述多个电容器均包括圆柱形的第一电极、第二电极、在所述第二电极和所述第一电极之间的电介质膜,所述第二电极面对所述第一电极,所述第一电极包括远离所述基板的表面的上端;以及
支撑图案,接触相应的所述多个子单元块中的所述电容器的所述第一电极的上端的外侧壁并支撑所述多个电容器,
所述支撑图案包括,
上支撑图案,包括第一上图案和第二上图案,该第一上图案接触所述第一电极的所述上端的所述外侧壁并具有在所述子单元块的每个中连接为整体的板状结构,该第二上图案接触所述第一上图案的底表面的一部分,所述第一上图案的所述底表面的所述一部分与所述第一上图案的所述底表面的边缘分隔开,和
下支撑图案,接触所述第一电极的外侧壁并且比所述上支撑图案靠近所述基板的所述表面。
15.根据权利要求14所述的半导体器件,其中所述第二上图案包括与所述第一上图案不同的材料。16.根据权利要求14所述的半导体器件,其中所述多个电容器包括多个功能电容器和多个虚设电容器,并且所述第二上图案包括邻近所述第一上图案的所述底表面的边缘的上外部图案,所述边缘从所述第一上图案的所述底表面被看到,所述上外部图案支撑所述多个虚设电容器并围绕所述多个功能电容器。17.根据权利要求16所述的半导体器件,其中所述第一上图案包括多个上开口,以及所述第二上图案接触所述第一上图案的所述底表面的与所述上开口分隔开的至少一部分。
18.根据权利要求17所述的半导体器件,其中所述第二上图案还包括支撑所述多个功能电容器中的一些的多个上外部图案,所述多个上外部图案具有岛形状。19.根据权利要求14所述的半导体器件,其中所述上支撑图案还包括第三上图案,该第三上图案接触所述第二上图案的底表面并具有在所述子单元块的每个中连续地连接的板状结构。20.根据权利要求14所述的半导体器件,其中所述下支撑图案包括:第一下图案,当从与所述基板的表面垂直的方向看时具有与所述第一上图案相同的平面形状,以及
第二下图案,接触所述第一下图案的底表面的与所述第一下图案的所述底表面的边缘分隔开的一部分。
21.一种半导体器件,包括:基板;
至少一个虚设电容器,连接到所述基板并配置为提高所述半导体器件的制造余量;
至少一个功能电容器,所述至少一个功能电容器连接到所述基板,所述至少一个功能电容器配置为用于所述半导体器件的操作;
至少一个第一上图案,支撑所述至少一个功能电容器并支撑所述至少一个虚设电容器;以及
至少一个第二上图案,支撑所述至少一个虚设电容器并且不支撑所述至少一个功能电容器。
22.根据权利要求21所述的半导体器件,其中所述至少一个虚设电容器配置为向所述半导体器件提供机械支撑。23.根据权利要求21所述的半导体器件,其中所述至少一个虚设电容器配置为改善对该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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