[发明专利]集成电路装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201711100178.3 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108573999B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 全辉璨;申宪宗;张在兰;黄寅灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路装置及其制作方法。鳍型有源区在衬底上在第一水平方向上延伸。栅极线在所述鳍型有源区上在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源极/漏极区在所述鳍型有源区中位于所述栅极线的一侧。绝缘盖平行于所述衬底延伸，所述栅极线及所述源极/漏极区排列在所述绝缘盖与所述衬底之间。源极/漏极触点垂直地延伸穿过所述绝缘盖，所述源极/漏极触点具有被所述绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到所述源极/漏极区的端部。鳍隔离绝缘单元垂直地延伸穿过所述绝缘盖而延伸到所述鳍型有源区中。所述源极/漏极区排列在所述鳍隔离绝缘单元与所述栅极线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；源极/漏极区，在所述鳍型有源区中位于所述栅极线的一侧；绝缘盖，平行于所述衬底延伸，所述栅极线及所述源极/漏极区排列在所述绝缘盖与所述衬底之间；源极/漏极触点，垂直地延伸穿过所述绝缘盖，所述源极/漏极触点具有被所述绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到所述源极/漏极区的端部；以及鳍隔离绝缘单元，垂直地延伸穿过所述绝缘盖而延伸到所述鳍型有源区中，所述鳍隔离绝缘单元与所述栅极线间隔开，所述源极/漏极区排列在所述鳍隔离绝缘单元与所述栅极线之间。
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