[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711083442.7 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108074910B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张相信;刘禹炅;韩奎熙;白宗玟;V.H.阮;金秉熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在所述衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；在所述第一绝缘夹层上的多个第一布线结构，所述多个第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充所述第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在所述多个第一布线结构之间的所述第一绝缘夹层的表面上以及在所述多个第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，所述绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在所述多个第一布线结构和所述多个第二布线结构上；以及空气间隙，在所述多个第一布线结构之间在所述第三绝缘夹层下面。
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