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[发明专利]显示装置-CN202211672893.5在审
发明人： 金秉熙;朴根昌;金龙锡;朴骏 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：公开了一种显示装置。根据本公开内容的一方面，显示装置包括：显示单元，该显示单元包括显示面板和支承显示面板的后表面的背盖；外辊，该外辊被配置成使显示单元卷绕或解绕；内辊，该内辊容纳在外辊中；以及中间齿轮，该中间齿轮使外辊的旋转与内辊的旋转相互作用，并且当显示单元被卷绕或解绕时，外辊和内辊通过中间齿轮沿相反方向旋转。
显示装置

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201710911772.4有效
发明人：韩奎熙;白宗玟;V.H.阮;刘禹炅;张相信;金秉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711083442.7有效
发明人：张相信;刘禹炅;韩奎熙;白宗玟;V.H.阮;金秉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610934242.7有效
发明人：金洛焕;金秉熙;金镇南;白宗玟;李来寅;郑恩志 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201611100627.X有效
发明人：安商燻;白宗玟;宋明根;刘禹炅;赵炳权;金秉熙;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。
制造半导体器件方法

[发明专利]装载锁模块和包括其的半导体制造设备-CN201910138038.8在审
发明人：金光男;金秉熙;金正律;朴海重;宣钟宇;吴相录;郑盛旭;赵南泳;洪定杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请提供了装载锁模块和包括其的半导体制造设备。半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；以及转移模块，其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底，其中，装载锁模块包括：净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。
装载锁衬底容器半导体制造设备净化气体衬底气体供应线路容纳半导体制造处理模块大气压强供应单元内部压强排放单元排气线路转移模块排放申请

[发明专利]半导体器件-CN201611165928.0有效
发明人： V.阮;T.奥斯津达;白宗玟;安商燻;金秉熙;刘禹炅;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201710610070.2在审
发明人：刘禹炅;白宗玟;张相信;金秉熙;V.阮;李来寅;李禹镇;郑恩志;韩奎熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
制造半导体器件方法

[发明专利]栅结构及栅结构的形成方法-CN201310054345.0在审
发明人：车泰昊;郑圣熙;崔吉铉;金秉熙;朴嬉淑;白宗玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。
结构形成方法

[发明专利]栅结构及栅结构的形成方法-CN200910135403.6有效
发明人：车泰昊;郑圣熙;崔吉铉;金秉熙;朴嬉淑;白宗玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。
结构形成方法

[发明专利]双侧发光装置-CN200910138996.1有效
发明人：朴镇宇;郑昊均;金仙花;金秉熙 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种双侧发光装置，该装置包括：下衬底和上衬底；发射元件，形成在上衬底的内表面与下衬底的内表面之间并发射预定的光；上部偏振材料层，设置在上衬底的内表面和外表面中的至少一个之上；以及下部偏振材料层，设置在下衬底的内表面和外表面中的至少一个之上。
发光装置

[发明专利]有机发光显示器及其制造方法-CN200610111833.0有效
发明人： 金秉熙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：在有机发光显示器及其制造方法中，为了延长寿命而改变各个像素的布置，将具有低发光效率的一个像素区增大。该有机发光显示器包括至少一个像素，所述像素包含具有多种颜色的子像素。在像素区的整个面上形成第一子像素发光层。在第一子像素发光层处形成具有闭合曲线的至少两个第二子像素发光层。改变各个像素的结构，将具有低发光效率的一个子像素区的面积增大，以便延长有机发光显示器的寿命并增大孔径比。此外，在发光层形成过程中，减少了掩模的数量。因而，降低了未对准的可能性，从而使分辨率最大，提高了生产率，并且降低了制造成本。
有机发光显示器及其制造方法

[发明专利]发光显示器及构造该发光显示器的方法-CN200510093582.3有效
发明人：徐美淑;金秉熙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光显示器和构造所述发光显示器的方法，其中，所述发光显示器能够测量发光二极管的特性而不受晶体管影响。所述发光显示器的实施例包括：第一显示部分，形成在基板上并具有第一像素，所述第一像素被设定成基于来自具有至少一个晶体管的主动驱动像素电路的电流而发光；第二显示部分，具有第二像素，所述第二像素被设定成基于由基板上的被动驱动型提供的电流而发光。因此，在所述发光显示器中，可利用形成在所述基板的哑区域内的测试像素部分来测量发光二极管的发光特性而不受晶体管影响。
发光显示器构造方法

[发明专利]显示设备及其驱动方法-CN200510052104.8有效
发明人：郭源奎;金秉熙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：在本发明中，在有机电致发光(EL)显示器中的像素上形成的红色、绿色和蓝色有机EL元件由驱动晶体管驱动。电容器耦合在驱动晶体管的栅极和源极之间，以便在预定时间内保持电压不变。发光控制晶体管分别耦合在驱动晶体管和红色、绿色和蓝色有机EL元件之间。将一个场划分成三个子场，每个像素中的红色、绿色和蓝色有机EL元件之一在每个子场内开始发光，因此代表全色屏幕。红色、绿色和蓝色有机EL元件顺序在每个子场内开始发光，以便减轻或消除一种颜色的有机EL元件在每个子场内开始发光引起的颜色分离现象。
显示设备及其驱动方法

[发明专利]双侧发光装置-CN200410045798.8有效
发明人：朴镇宇;郑昊均;金仙花;金秉熙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种双侧发光装置，该装置包括：下衬底和上衬底；发射元件，形成在上衬底的内表面与下衬底的内表面之间并发射预定的光；上部偏振材料层，设置在上衬底的内表面和外表面中的至少一个之上；以及下部偏振材料层，设置在下衬底的内表面和外表面中的至少一个之上。
发光装置

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