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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310362129.6在审
发明人：白奉官;林俊赫;千正焕;韩奎熙;白宗玟;柳庚玟;申定候;张相信 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201710911772.4有效
发明人：韩奎熙;白宗玟;V.H.阮;刘禹炅;张相信;金秉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上的第一层间电介质膜；在第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在不同于第一方向的第二方向上彼此相邻；在第一层间电介质膜上的硬掩模图案，硬掩模图案包括开口；以及在第一层间电介质膜内的气隙，气隙在第一方向上包括与开口垂直交叠的第一部分和不与开口交叠的第二部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711083442.7有效
发明人： 张相信;刘禹炅;韩奎熙;白宗玟;V.H.阮;金秉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；多个第一布线结构，在第一绝缘夹层上，第一布线结构彼此间隔开；多个第二布线结构，分别填充第二绝缘夹层上的多个沟槽；绝缘覆盖结构，选择性地在第一布线结构之间的第一绝缘夹层的表面上以及在第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，绝缘覆盖结构包括绝缘材料；第三绝缘夹层，在第一布线结构和第二布线结构上；以及空气间隙，在第一布线结构之间在第三绝缘夹层下面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210865237.0在审
发明人：白宗玟;申定候;张相信;千正焕;朴径范;朴水贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202010684555.8在审
发明人：姜成进;白宗玟;刘禹炅;韩奎熙;金汉城;李长镐;张相信 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。
半导体器件

[发明专利]形成微图案的方法及基板处理设备-CN201811612414.4在审
发明人： 张相信;白宗玟;徐训硕;李义福;姜成进;V.阮;郑德泳;安商熏;吴赫祥;刘禹炅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
辅助层粘合层光敏亲水基团蚀刻目标微图案图案化光致抗蚀剂光致抗蚀剂膜基板处理设备共价键封端基板疏水

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201710610070.2在审
发明人：刘禹炅;白宗玟;张相信;金秉熙;V.阮;李来寅;李禹镇;郑恩志;韩奎熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
制造半导体器件方法

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