[发明专利]一种非挥发存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201711008864.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109712979A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;刘建朋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非挥发存储器及其制作方法，包括:半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；所述漏极区包括第一掺杂类型轻掺杂区，以及位于所述第一轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。本发明提供的非挥发存储器利用PN反向偏置电压产生带与带之间的隧穿来产生热载流子，以实现存储功能，从而缩小了器件的尺寸，所述非挥发存储器具有低功耗、高编程效率等优势，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非挥发存储器 掺杂类型 衬底 半导体 栅极结构 漏极区 反向偏置电压 编程效率 存储功能 轻掺杂区 热载流子 重掺杂区 掺杂区 低功耗 轻掺杂 源极区 隧穿 制作 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；所述漏极区包括第一掺杂类型轻掺杂区，以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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