[发明专利]栅极结构及其制造方法与形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710718685.7 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231874B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 魏嘉余;张復诚;陈信吉;高境鸿;郑枷彬;李国政;黄薰瑩;林彦良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种栅极结构，包含栅极以及具有顶表面和底表面的第一隔离结构。栅极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁的底部边缘和第二侧壁的底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构的顶表面与第一隔离结构的底表面之间。栅极亦包含邻近第二侧壁的顶部边缘的第二水平面。由栅极结构界定出的有效通道宽度包含第二侧壁的高度和第二水平面的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 及其 制造 方法 形成 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构，其特征在于，包含：一第一隔离结构，具有一顶表面及一底表面；以及一栅极，包含：一第一侧壁，邻近该第一隔离结构；一第二侧壁；一第一水平面，邻近该第一侧壁的一底部边缘及该第二侧壁的一底部边缘，该第一水平面位于该第一隔离结构的该顶表面与该第一隔离结构的该底表面之间；以及一第二水平面，邻近该第二侧壁的一顶部边缘，其中由该栅极结构界定的一有效通道宽度包含该第二侧壁的一高度及该第二水平面的一宽度。
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