[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括形成在衬底上的沟道层，形成在沟道层上的阻挡层以及栅电极。第二栅电极部经由栅绝缘膜形成在栅电极上。通过以此方式提供由栅电极，栅绝缘膜以及第二栅电极构造的MIM部，变得能使施加至MISFET的第二栅电极的表观阈值电压高于施加至栅电极的原始阈值电压，以形成栅电极之下的沟道。

主权项

一种半导体器件，包括：第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层被形成在衬底上方；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层被形成在所述第一氮化物半导体层上方；沟槽，所述沟槽穿过所述第二氮化物半导体层并且到达所述第一氮化物半导体层的中部；第一栅电极部，所述第一栅电极部经由第一绝缘膜来被形成在所述沟槽中；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别在所述第一栅电极部的两侧上来被形成在所述第二氮化物半导体层上方；第二绝缘膜，所述第二绝缘被形成在所述第一栅电极部上方；以及第二栅电极部，所述第二栅电极部被形成在所述第二绝缘膜上方，其中，所述第二氮化物半导体层的电子亲和势小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和势，其中，在平面图中，所述第二栅电极部和所述第一栅电极部包括相互重叠的部分，以及其中，所述第二栅电极部经由所述第二绝缘膜而与所述第一栅电极部分离。