[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710865916.7 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107871784B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 住吉和英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;陈源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种氮化物半导体器件，其中，氮化物半导体器件类型的场效应晶体管具有栅电极和覆盖栅电极的绝缘膜。栅电极具有镍(Ni)和金(Au)的层叠金属，而绝缘膜由氮化硅(SiN)制成。本发明的栅电极的特征是，镍层含有或掺杂有原子浓度从0.01at％至10at％的硅(Si)原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；半导体层，其设置在所述衬底上；第一绝缘膜，其设置在所述半导体层上，所述第一绝缘膜具有暴露出其中的半导体层的开口；栅电极，其通过所述第一绝缘膜中的所述开口来形成与所述半导体层的肖特基接触，所述栅电极含有镍(Ni)和0.01至10原子百分比的硅(Si)；以及第二绝缘膜，其覆盖所述栅电极和所述第一绝缘膜，所述第二绝缘膜由氮化硅(SiN)制成。
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