[发明专利]碳化硅功率器件终端及其制作方法在审
| 申请号： | 201710593222.2 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107293599A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 田晓丽;白云;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法，碳化硅功率器件终端包括第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底；第一轻掺杂类型SiC外延层，生长在所述第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底上；具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环，形成在所述第一轻掺杂类型SiC外延层顶部；以及至少一个第二重掺杂类型分压沟槽，形成在所述第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环之间。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 器件 终端 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅功率器件终端，其中，包括：第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底；第一轻掺杂类型SiC外延层，生长在所述第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底上；具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环，形成在所述第一轻掺杂类型SiC外延层顶部；以及至少一个第二重掺杂类型分压沟槽，形成在所述第二重掺杂类型主结和第一掺杂类型截止环之间。
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